[发明专利]金属残留物的清洗方法无效
| 申请号： | 200810224806.3 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101724847A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡亚兰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23G1/02 | 分类号： | C23G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 残留物 清洗 方法 | ||
1.一种金属残留物的去除方法，其特征在于，包括：
提供具有半导体结构的晶片，所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物；
先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片，然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片，从而去除所述的金属残留物。
2.根据权利要求1所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，在采用HPM溶液湿法清洗所述晶片之前还包括：采用第一SPM溶液湿法清洗所述晶片。
3.根据权利要求1或2所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，在采用APM溶液湿法清洗所述晶片之前还包括：采用第二SPM溶液湿法清洗所述晶片。
4.根据权利要求3所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述HPM溶液中HCl和H2O2的体积比浓度值为2至4。
5.根据权利要求3所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述第一SPM或第二SPM溶液中H2SO4和H2O2的体积比浓度值为3至5。
6.根据权利要求3所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述采用HPM溶液湿法清洗晶片的时间为90秒至630秒，所述HPM溶液的温度为40℃至70℃。
7.根据权利要求3所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述采用第一SPM溶液湿法清洗晶片的时间为360秒，所述第一SPM溶液的温度为80℃至99℃。
8.根据权利要求3所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述采用第二SPM溶液湿法清洗晶片的时间为180秒，所述第二SPM溶液的温度为80℃至99℃。
9.根据权利要求3所述金属残留物的去除方法，其特征在于，所述采用APM溶液湿法清洗晶片时间为300秒，所述APM溶液温度为30℃至35℃。
10.根据权利要求1或2所述的金属残留物的去除方法，其特征在于，所述湿法清洗采用喷雾清洗技术。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810224806.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：松锈液
- 下一篇：一种P92钢热处理方法
