[发明专利]等离子体约束装置和等离子体加工设备有效
申请号: | 200810224814.8 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101383278A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 南建辉;宋巧丽 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 约束 装置 加工 设备 | ||
1.一种等离子体约束装置,其特征在于,包括:边框组和固定部件;
所述边框组,包括至少两个形状相同、尺寸各异的嵌套设置的边框;
所述固定部件,与所述边框组固定连接,能够将所述至少两个边框的相对位置固定;其中,
所述至少两个边框之间具有间隙,所述间隙的深度大于等离子体中带电粒子的平均自由程或者所述间隙的宽度小于等离子体鞘层的尺寸;
所述边框包括叠加放置的至少两个边框层,所述至少两个边框层叠加形成边框之间的间隙的尺寸逐渐缩小的通道;
所述边框至少由三段边框构件通过固定部件拼接而成。
2.根据权利要求1所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述边框为耐等离子体的绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述至少两个边框层中,接触等离子体的边框层为耐等离子体的绝缘材料,而远离等离子体的边框层均为耐等离子体的绝缘材料、或者所述远离等离子体的边框层中至少有一个边框层为导电材料并且该边框层接地。
4.根据权利要求1至3任一项所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述边框的横截面为矩形、梯形、台阶形或喇叭形。
5.根据权利要求2或3所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述耐等离子体的绝缘材料包括石英、陶瓷或Si3N4,或表面为Y2O3或Al2O3涂层的材料。
6.根据权利要求3所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述导电材料包括阳极氧化的铝、SiC或者导电非金属材料。
7.根据权利要求4所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述边框的形状与待加工的晶片或所述晶片的支承装置的形状相匹配。
8.根据权利要求7所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述待加工的晶片或所述晶片的支承装置的形状为圆形、矩形或三角形。
9.根据权利要求1所述的等离子体约束装置,其特征在于,固定部件包括分别具有相互对应的凹槽的第一固定块和第二固定块;所述第一固定块和第二固定块连接后,所述相互对应的凹槽构成限位槽,所述限位槽的横截面与所述边框组的横截面相同。
10.根据权利要求1或9所述的等离子体约束装置,其特征在于,所述固定部件沿所述边框组的周长至少设置三个。
11.一种等离子加工设备,其特征在于,包括:反应室,反应室内的晶片支承装置和如权利要求1至10任一项所述的等离子体约束装置;所述晶片支承装置位于所述等离子体约束装置的边框组的中间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810224814.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:整箱式减速箱冷拆装工具
- 下一篇:宣通经络口服液
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造