[发明专利]混频器和直接下变频接收器有效
申请号: | 200810225011.4 | 申请日: | 2008-10-23 |
公开(公告)号: | CN101447793A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 马欣龙;王文申 | 申请(专利权)人: | 北京朗波芯微技术有限公司 |
主分类号: | H04B1/00 | 分类号: | H04B1/00;H04B1/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尚志峰 |
地址: | 100084北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混频器 接下 变频 接收器 | ||
1.一种混频器,其特征在于,包括:
转换电路,其包括差分连接的开关管M1和开关管M2, 用于把射频电压信号转换为电流信号;
下变频电路,其包括差分连接的共源极开关管对M3和 M4与共源极开关管对M5和M6,用于把由所述转换电路流 出的电流信号下变频到中频或基带;
负载电路,其包括差分连接的电阻R1和电阻R2,用于 将下变频后的电流信号转变为电压信号;
容性阻抗电路,用于抵消所述开关管对M3和M4的共源 极A点和/或开关管对M5和M6的共源极B点的寄生电容, 其中,
所述容性阻抗电路包括:电容器Cs、电流源I1和电流源 I2以及开关管M7和开关管M8,其中
所述开关管M7和开关管M8的漏极分别与所述共源极 A、B点相连,所述开关管M7和开关管M8的栅极和漏极彼 此交叉相连;
所述电容器Cs,设置于所述开关管M7和开关管M8的 源极之间;
所述电流源I1和电流源I2,分别设置于所述开关管M7 和开关管M8的源极与地之间。
2.根据权利要求1所述的混频器,其特征在于,所述电流源包括:
开关管M9和开关管M10,其中
所述开关管M9和开关管M10的栅极连接偏置电流源 Vb,其源极分别与参考电压VDD相连,其漏极分别与所述开 关管M7和开关管M8的源极相连。
3.根据权利要求1或2所述的混频器,其特征在于,所述开关管 M1-M6为CMOS管。
4.根据权利要求2所述的混频器,其特征在于,所述开关管 M7-M10为CMOS管。
5.一种直接下变频接收器,其特征在于,包括权利要求1-4中任 一项所述的混频器。
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