[发明专利]一种高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料的制备方法无效
| 申请号： | 200810225028.X | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101372339A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;周身林;刘丹敏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 致密 多晶 ceb sub 块体 阴极 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将直流电弧蒸发冷凝设备反应室抽真空至1.0×10-2～3.0×10-3Pa后，充入体积比为1～4:1，总气压为0.1Mpa，纯度均为99.999％的高纯氢气和氩气，以金属钨为阴极，单质金属铈块为阳极，在反应电流80～150A，电弧电压20～45V，反应时间20～40min的条件下制备氢化铈纳米粉末；
2)将氢化铈纳米粉末和硼粉末在含氧量低于80ppm的预处理室中，按质量比1:0.456研磨混合后，装入石墨模具中；
3)将石墨模具放入SPS烧结设备中进行烧结，烧结工艺为:烧结气氛为2～10Pa的真空或纯度为99.999％的高纯氩气气氛，烧结压力为30～60MPa，烧结温度为1300～1700℃，升温速率为80～200℃/min，保温为3～20min，随炉冷却得到高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氢化铈纳米粉末的粒径为20～60nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述的硼粉末的粒径为20～50nm或2～10μm。
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