[发明专利]表面氮化铬镀膜方法有效
| 申请号： | 200810225745.2 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101736288A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 卢昆;朱新新 | 申请（专利权）人： | 北京海威汇达计算机技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 文琦;钱惠莲 |
| 地址： | 100085 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 氮化 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种表面Cr2N镀膜方法，其包括下列步骤：
镀膜工件入库检验；清洗；喷丸表面处理；镀前超声清洗，烘干，装机待镀，真空离子镀膜，被镀工件初检，试样检验，和工件包装、出场；
其中，所述真空离子镀膜步骤进一步包括步骤：
通过电弧将阴极蒸发并离化以产生等离子体；和
将该等离子体在真空室中与充入的反应气体反应，并通过偏压将反应物沉积在待镀物件的表面上；
其中，该真空离子镀膜步骤的工作条件为：
工作真空度510-1Pa到2Pa，阴极电弧电流50到70A，脉冲偏压与直流偏压相叠加，其中直流偏压在80-300V之间，脉冲偏压在150-500V之间。
2.如权利要求1所述的表面Cr2N镀膜方法，其中，该真空离子镀膜步骤的镀膜温度为：150到450摄氏度。
3.如前述权利要求1或2所述的表面Cr2N镀膜方法，其中，镀制的Cr2N薄膜的技术质量指标为：硬度1500-2200HV，内应力0.1-1GRa，允许厚度1-50μm，摩擦系数小于0.2，最高使用温度750摄氏度，粗糙度2.6-2.8Ra，使用后的Ra差值10％。
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