[发明专利]电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1、电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，包括有从上往下依次纵向层叠生长的上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极(10)的下方的电流阻挡层(120)，其特征在于：在上电极(10)与电流扩展层(120)之间设置有导电光增透层(101)，并且电流阻挡层的分布与上电极相对应。

2、根据权利要求1所述的电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层(120)设置在导电光增透层(101)或电流扩展层(100)或上限制层(300)或有源区(200)里面，或相邻的两层、三层、四层的里面。

3、根据权利要求1或2所述的电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，其特征在于：电流阻挡层(120)的形状与上电极(10)形状相同。

4、根据权利要求1和2所述的电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，其特征在于：导电光增透层101的上面也可设置对光起到增透作用的结构层，该结构层可以是附上一层增透膜(103)、也可在导电光增透层上表面或增透膜上表面处理形成粗糙化结构层。

5、电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管的制备方法，其特征在于，制备工艺步骤如下：

(1)在GaAs等能够与AlGaInP匹配的材料形成的n-型衬底(600)上，用MOVCD方法依次外延生长缓冲层(500)，下限制层(400)，有源区(200)，上限制层(300)，电流扩展层(100)，得到AlGaInP发光二极管的外延片；

(2)再通过后工艺的办法制备电流阻挡层(120)，具体为：首先将外延片进行清洗，甩胶并光刻出要做阻挡层的区域，该区域与上电极(10)一致，利用离子注入的办法在该区域上限制层(300)和有源区(200)里面注入能起阻挡层作用的离子，形成电流阻挡层(120)，去胶并清洗，然后蒸镀上一层ITO导电透光材料；

(3)接下来，用蒸发的办法在ITO表面蒸发一层AuZnAu金属层，并光刻出上电极(10)，将衬底(600)减薄，然后在减薄的这一面蒸发一层AuGeNi形成下电极(20)，完成了上、下电极的制作，再将做好的外延片解理成管芯，压焊在管座上，LED器件制备完毕。

6、根据权利要求5所述的电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管的制备方法，其特征在于：导电光增透层(101)选用能导电、能透光又能对光起到增透作用的材料。