[发明专利]制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法有效
| 申请号： | 200810226288.9 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101740384A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;张明兰;肖红领;王翠梅;唐健;冯春;姜丽娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 增强 型铝镓氮 氮化 电子 迁移率 晶体管 方法 | ||
1.一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上生长氮化镓成核层；
在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；
在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；
在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；
在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；
在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；
刻蚀氮化铟盖帽层；
制备源、漏欧姆接触；
制备栅金属；
电极金属加厚。
2.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，所述衬底是蓝宝石、碳化硅或硅。
3.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，所述生长氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化铟盖帽层采用金属有机物化学气相沉积方法、分子束外延方法或气相外延方法。
4.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，所述铝镓氮势垒层是非故意掺杂或N型掺杂的，厚度为10至20纳米。
5.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，铝镓氮势垒层中的A1组分占15～25％之间(摩尔百分比)。
6.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，氮化铟盖帽层是非故意掺杂或P型掺杂的，厚度在5至15纳米之间。
7.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，氮化铟盖帽层的生长温度在550～750℃之间。
8.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，氮化铟盖帽层的生长压力在100～300托之间。
9.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，所述刻蚀氮化铟盖帽层的步骤中，是刻蚀掉栅接触区以外的氮化铟盖帽层。
10.根据权利要求1所述的制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，所述刻蚀氮化铟盖帽层采用干法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
