[发明专利]腔室窗及等离子体工艺腔室有效
| 申请号： | 200810226478.0 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101740336A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腔室窗 等离子体 工艺 | ||
1.一种腔室窗，其特征在于，包括：上盖、内衬和楔形支座，其中：
所述内衬设置于所述上盖的下表面；
所述楔形支座设置于腔室窗的边缘部位；
所述上盖和所述内衬的边缘分别设有斜面，并且所述斜面与所述楔形支座的楔形面相 吻合；
所述上盖边缘的斜面与所述楔形面之间设有密封装置。
2.根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述密封装置为“O”形圈。
3.根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述楔形面的楔形角为30～60°。
4.根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述楔形面的楔形角为45°。
5.根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述上盖的厚度为30～50mm，所述内 衬的厚度为10～20mm，所述楔形支座外缘的高度大于所述内衬的厚度。
6.根据权利要求1所述的腔室窗，其特征在于，所述上盖与所述楔形支座和所述内衬 的材料相同。
7.一种等离子体工艺腔室，其特征在于，该工艺腔室的上方设有权利要求1至6任一 项所述的腔室窗。
8.根据权利要求7所述的等离子体工艺腔室，其特征在于，该工艺腔室的腔体的上缘 设有密封环，所述腔室窗的边缘部位的楔形支座的下表面支撑于所述密封环上，所述腔室 窗的上盖和内衬分别支撑于所述楔形支座的楔形面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
