[发明专利]用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元

权利要求书

1.一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，其特 征在于，包括：

一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容， 用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电，形成第一级 积分单元；

一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容， 用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电， 形成第二级积分单元；

一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于 与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；该内部堆叠管的 栅极电压自偏置，且控制输出共模电压；

一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；

一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元 的复数共轭零点特性。

2.根据权利要求1所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容 双二阶单元，其特征在于，所述第一级跨导-电容积分单元包括：

第一NMOS管Mn1(110)，该管的栅极接输入端Vip(102)，漏极标记 为net1，源极与电流源一端相连，标记为net3，衬底接地电压GND；

第二NMOS管Mn2(111)，该管的栅极接输入端Vin(104)，漏极标记 为net2，源极接net3，衬底接地电压GND；

第一电容C1(120)，一端接net1，另一端接net2。

3.根据权利要求2所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容 双二阶单元，其特征在于，所述第二级跨导-电容积分单元包括：

第三PMOS管Mp3(114)，该管的栅极接net1，漏极接输出端Vop (106)，源极和衬底接电源电压VDD；

第四PMOS管Mp4(115)，该管的栅极接net2，漏极接输出端Von (108)，源极和衬底接电源电压VDD；

第二电容C2(121)，一端接输出端Vop(106)，另一端接输出端Von (108)。

4.根据权利要求2所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容 双二阶单元，其特征在于，所述内部堆叠管包括：

第一PMOS管Mp1(112)，该管的栅极接net3，漏极接net1，源极和衬 底接输出端Vop(106)；

第二PMOS管Mp2(113)，该管的栅极接net3，漏极接net2，源极和衬 底接输出端Von(108)。

5.根据权利要求2所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双 二阶单元，其特征在于，所述电流源的正端接net3，负端接地电压GND。

6.根据权利要求1所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容 双二阶单元，其特征在于，所述同相前馈电容元件包括：

第三电容C3(122)，一端接输入端Vip(102)，另一端接输出端Vop (106)，电容值为C3；

第四电容C4(123)，一端接输入端Vin(104)，另一端接输出端Von (108)，电容值为C4。

7.根据权利要求1所述的用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双 二阶单元，其特征在于：同相前馈电容元件用于确定双二阶单元传输函数 中复数共轭零点，可用于实现零极点型低通滤波器。