[发明专利]一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法有效
| 申请号： | 200810226687.5 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740369A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈世杰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 金属性 金属 氮化物 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，其特征在于，该方法包 括：
采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；
用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮 化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金属 氮化物薄膜；
其中，所述绝缘性金属氮化物薄膜为HfNx或TaNx薄膜，金属性金属 氮化物薄膜为HfNy或TaNy薄膜，并经过能量为500电子伏特至4000电 子伏特的Ar离子轰击该绝缘性HfNx或TaNx薄膜表面，将其转化为金属 性HfNy或TaNy薄膜，且X＞1，0＜y≤1。
2.根据权利要求1所述的制备金属性金属氮化物薄膜的方法，其特 征在于，在采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜时，所述化学方法是 金属有机化学气相沉积方法MOCVD、原子层沉积方法ALD或等离子增 强金属有机化学气相沉淀方法PEMOCVD。
3.根据权利要求1所述的制备金属性金属氮化物薄膜的方法，其特 征在于，所述绝缘性金属氮化物薄膜是Hf3N4或Ta3N5薄膜。
4.根据权利要求1所述的制备金属性金属氮化物薄膜的方法，其特 征在于，所述绝缘性金属氮化物薄膜和金属性金属氮化物薄膜的厚度为1 纳米至5纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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