[发明专利]掩模板及其制备方法有效
申请号: | 200810226814.1 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101738846A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 郝金刚;彭志龙;朴春培;王威 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;H01L21/84 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩模板,包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域,其特 征在于,所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成;所述半 透明部分面积之和占所述部分透光区域总面积的50%~75%。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述半透明部分的厚度 为
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,
所述不透光区域包括对应源电极图形的第一不透光区域和对应漏电极图 形的第二不透光区域,所述第一不透光区域和第二不透光区域之间为对应TFT 沟道图形的所述部分透光区域;或者,
所述完全透光区域包括对应源电极图形的第一透光区域和对应漏电极图 形的第二透光区域,所述第一透光区域和第二透光区域之间为对应TFT沟道 图形的所述部分透光区域。
4.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述部分透光区域包括 n个半透明部分和n+1个透明部分,所述n个半透明部分和n+1个透明部分 沿所述第二不透光区域或所述第二透光区域的对称线对称交替排列;n为大 于或等于1的整数。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述半透明部分的宽度 为900nm~1500nm,所述透明部分的宽度为200nm~1200nm。
6.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述半透明部分的宽度 为1000nm~1200nm,所述透明部分的宽度为250nm~900nm。
7.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述第一不透光区域为 U形不透光区域,所述第二不透光区域为T形不透光区域,所述半透明部分 为一字形半透明部分,相邻所述一字形半透明部分之间为透明部分;在所述 U形不透光区域的二臂与所述T形不透光区域之间的部分透光区域,以所述T 形不透光区域对称线对称排列有多个所述一字形半透明部分;在所述U形不 透光区域的底部与所述T形不透光区域端部之间的部分透光区域,平行所述 U形不透光区域的臂部排列有多个所述一字形半透明部分。
8.根据权利要求4~7所述的任一掩模板,其特征在于,所述半透明部 分上开设有微孔。
9.根据权利要求8所述的掩模板,其特征在于,所述微孔的截面形状为 圆形、多边形或星形,或上述形状的组合。
10.根据权利要求8所述的掩模板,其特征在于,沿着所述半透明部分 轮廓线向该半透明部分体内辐射方向,在半透明部分上开设的微孔数量分布 从密集到稀疏变化,或者,在该半透明部分上开设的微孔孔径从大到小变化。
11.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述透明部分为微孔, 所述半透明部分上开设有多个所述微孔,所述半透明部分未开设有所述微孔 的部分与所述微孔呈交替排列。
12.根据权利要求11所述的掩模板,其特征在于,所述微孔的截面形状 为圆形、多边形或星形,或上述形状的组合。
13.根据权利要求11或12所述的掩模板,其特征在于,沿着所述半透 明部分轮廓线向该半透明部分体内辐射方向,在半透明部分上开设的微孔数 量分布从密集到稀疏变化,或者,在该半透明部分上开设的微孔孔径从大到 小变化。
14.一种掩模板的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1、在透明基板上沉积厚度为的不透明金属材料层;
步骤2、在完成步骤1的基板上进行第一次激光构图工艺,保留不透光 区域上的不透明金属材料层,去除不透光区域外其他区域的不透明金属材料 层;
步骤3、在完成步骤2的基板上,沉积厚度为的半透明材 料层;
步骤4、在完成步骤3的基板上,进行第二次激光构图工艺形成部分透 光区域图形;所述部分透光区域包括半透明部分和透明部分交替排列组成; 半透明部分下方的半透明材料层被保留,透明部分下方的半透明材料层被完 全去除;所述半透明部分占所述部分透光区域总面积的50%~75%。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备