[发明专利]透明导电膜及其制造方法、太阳能电池及平板显示装置

权利要求书

1.一种透明导电膜的制造方法，用于在基底上形成包含氧化锌材 质的透明导电膜；其特征在于包括：

在基底上形成包含氧化锌的种子层；

在所述种子层上形成包含氧化锌的主体层；

其中，所述主体层的沉积速率的范围为0.5nm/s至5nm/s，所述种 子层的沉积速率小于所述主体层的沉积速率，以形成致密的种子层，且 所述种子层的厚度小于所述主体层的厚度。

2.如权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：所 述形成种子层的工艺与所述形成主体层的工艺原位执行或在不同的工 艺腔中分别执行。

3.如权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于： 形成所述种子层的工艺包括磁控溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉 冲激光沉积法、原子层外延法、喷射热分解法中的一种。

4.如权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于： 形成所述主体层的工艺包括磁控溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉 冲激光沉积法、原子层外延法、喷射热分解法中的一种。

5.如权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于： 形成所述主体层的工艺至少包括如下两个步骤：

在所述种子层上形成包含氧化锌的第二种子层；

在所述第二种子层上形成包含氧化锌的第二主体层。

6.如权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：在 形成所述种子层的工艺中和/或形成主体层的工艺中，掺入Al、Ge、B、 Mo、Zr中的至少一种杂质。

7.如权利要求1或2或6所述的透明导电膜的制造方法，其特征 在于：所述种子层的厚度为10nm至100nm；主体层的厚度为500nm至 2000nm。

8.如权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：形 成所述种子层的工艺和主体层的工艺为以AZO作为靶材磁控溅射法； 其中，

在形成所述种子层的工艺中，腔室压力为0.5mT至1mT，温度为 80℃至120℃；

在形成所述主体层的工艺中，腔室的压力为2mT至4mT，温度为 80℃至120℃。

9.如权利要求8所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：在 形成所述主体层之后，还包括刻蚀所述主体层表面形成绒面结构的工 艺。

10.如权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于：形 成所述种子层和主体层的工艺是以二乙基锌为锌源、水蒸气为氧源的金 属有机化学气相沉积法；其中，

在所述种子层沉积工艺中，二乙基锌的流量为5sccm至10sccm， 水蒸气流量为6sccm至13sccm，工艺环境压力为0.07Torr至0.13Torr， 工艺温度为130℃至160℃；

在所述主体层沉积工艺中，二乙基锌的流量为11sccm至20sccm， 水蒸气流量为13sccm至25sccm，工艺环境压力为0.3Torr至0.5Torr， 工艺温度为130℃至160℃。

11.如权利要求10所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于： 在形成所述种子层的金属有机化学气相沉积法和/或沉积所述主体层的 金属有机化学气相沉积法中，以B₂H₆作为掺杂剂。

12.一种采用权利要求1所述的方法制造的透明导电膜，包括基底； 其特征在于：还包括：

位于所述基底上且包含氧化锌的致密的种子层；

位于所述种子层上且包含氧化锌的主体层；

其中，所述种子层的厚度小于所述主体层的厚度。

13.如权利要求12所述的透明导电膜，其特征在于：所述主体层 至少包括两层。

14.如权利要求12所述的透明导电膜，其特征在于：所述种子层 的厚度为10nm至100nm；主体层的厚度为500nm至2000nm。