[发明专利]一种用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元

权利要求书

1.一种用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述双二阶单元包括差分输入级、内部源极跟随器级、电流源、级间差分电抗元件和同相前馈电抗元件；所述差分输入级的输入端接收差分输入信号，所述差分输入级的输出端与所述内部源极跟随器级的输入端相连，所述内部源极跟随器级的输出端与所述电流源的输入端相连，所述电流源的输出端接地电压，所述级间差分电抗元件分别与所述差分输入级的输出端和内部源极跟随器级的输出端相连，所述同相前馈电抗元件的一端与所述内部源极跟随器级的输出端相连，所述同相前馈电抗元件的另一端与所述差分输入级的输入端相连。

2.如权利要求1所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述差分输入级包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管的漏极接到电源电压上，所述第一场效应晶体管的栅极接第一输入端，所述第一场效应晶体管的衬底接地电压或者与自身的源极相连；所述第二场效应晶体管的漏极接到电源电压，所述第二场效应晶体管的栅极接第二输入端，所述第二场效应晶体管的衬底接地电压或者与自身的源极相连。

3.如权利要求2所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述内部源极跟随器级包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管；所述第三场效应晶体管的漏极与所述第一场效应晶体管的源极相连，所述第三场效应晶体管的栅极与所述第二场效应晶体管的源极相连，所述第三场效应晶体管的衬底接地电压或者与自身的源极相连；所述第四场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的源极相连，所述第四场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的源极相连，所述第四场效应晶体管的衬底接地电压或者与自身的源极相连。

4.如权利要求3所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述电流源包括第一电流源和第二电流源；所述第一电流源的输入端与所述第三场效应晶体管的源极相连，所述第一电流源的输出端接地电压；所述第二电流源的输入端与所述第四场效应晶体管的源极相连，所述第二电流源的输出端接到地电压。

5.如权利要求4所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述级间差分电抗元件包括第一电抗元件和第二电抗元件；所述第一电抗元件的一端与所述第一场效应晶体管的源极相连，所述第一电抗元件的另一端接到所述第二场效应晶体管的源极；所述第二电抗元件的一端与所述第三场效应晶体管的源极相连，所述第二电抗元件的另一端接到所述第四场效应晶体管的源极。

6.如权利要求5所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述同相前馈电抗元件包括第三电抗元件和第四电抗元件；所述第三电抗元件的一端接所述第一场效应晶体管的栅极，所述第三电抗元件的另一端接到所述第四场效应晶体管的源极；所述第四电抗元件的一端接所述第二场效应晶体管的栅极，所述第四电抗元件的另一端接到所述第三场效应晶体管的源极。

7.如权利要求1所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述差分输入级包括第一半导体三极管和第二半导体三极管；所述第一半导体三极管的集电极接到电源电压，所述第一半导体三极管的基极接第一输入端；所述第二半导体三极管的集电极接到电源电压上，所述第二半导体三极管的基极接第二输入端。

8.如权利要求7所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述内部源极跟随器级包括第三半导体三极管和第四半导体三极管；所述第三半导体三极管的集电极与所述第一半导体三极管的发射极相连，所述第三半导体三极管的基极与所述第二半导体三极管的发射极相连；所述第四半导体三极管的集电极与所述第二半导体三极管的发射极相连，所述第四半导体三极管的基极与所述第一半导体三极管的发射极相连。

9.如权利要求8所述的用于实现零极点型高阶滤波器的双二阶单元，其特征在于，所述电流源包括第一电流源和第二电流源；所述第一电流源的输入端与所述第三半导体三极管的发射极相连，所述第一电流源的输出端接到地电压；所述第二电流源的输入端与所述第四半导体三极管的发射极相连，所述第二电流源的输出端接到地电压。