[发明专利]一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元

权利要求书

1.一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，其特征在于，包括：

一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，用于接收差分输入信号；

一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，用于接收所述差分输入级的输出 信号；

一电流源，用于提供该双二阶单元的支路电流；

一级间差分电容，包括两个电容，用于确定该双二阶单元的极点特性；

一反相前馈电容元件，包括两个电容，用于抵消非理想因素，提高零点Q值；

一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定该双二阶单元的复数共轭零点 特性；

所述差分输入级具体包括：

第一PMOS管，该管的栅极接第一输入端，漏极接地电压，源极与衬底相连， 标记为net1；

第二PMOS管，该管的栅极接第二输入端，漏极接地电压，源极与衬底相连， 标记为net2；

所述内部源极跟随器包括：

第三PMOS管，该管的栅极接net2，漏极接net1，源极和衬底接第一输出端；

第四PMOS管，该管的栅极接net1，漏极接net2，源极和衬底接第二输出端；

所述电流源包括：

第一电流源，该电流源的输入端接电源电压，输出端接第一输出端；

第二电流源，该电流源的输入端接电源电压，输出端接第二输出端；

所述级间差分电容包括：

第一电容，一端接net1，另一端接net2，电容值为C1/2；

第二电容，一端接第一输出端，另一端接第二输出端，电容值为C2/2；

所述反相前馈电容元件包括：

第三电容，一端接第一输入端，另一端接net2，电容值为C5；

第四电容，一端接第二输入端，另一端接net1，电容值为C6；

所述同相前馈电容元件包括：

第五电容，一端接第一输入端，另一端接第二输出端，电容值为C3；

第六电容，一端接第二输入端，另一端接第一输出端，电容值为C4。

2.根据权利要求1所述的双二阶单元，其特征在于，所述反相前馈电容元件 用于抵消该双二阶单元传输函数中非理想项，调节该电容值能够实现零点Q值增强。

3.根据权利要求1所述的双二阶单元，其特征在于，所述同相前馈电容元件用 于确定该双二阶单元传输函数中复数共轭零点，能够用于实现零极点型低通滤波器。

4.根据权利要求1所述的双二阶单元，其特征在于，C5＝C6；C3＝C4。