[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810227178.4 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740339A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：
提供已形成待刻蚀图形的衬底；
将所述衬底放入处理室内；
在承载台上施加第一直流电压，以吸附所述衬底；
通入刻蚀气体和辅助气体；
对所述处理室施加射频电压，以在所述衬底上形成刻蚀开口；
停止通入所述刻蚀气体；
在所述承载台上施加第二直流电压，以解吸附所述衬底，且所述第 二直流电压与所述第一直流电压极性相反，在施加所述第二直流电压 时，处理室内仍处于等离子体气氛下，以防止因第二直流电压施加不当 而导致的反向吸附，其中，所述第二直流电压设置在800至1000V，施 加时间设置在3至5秒之间；
停止施加所述射频电压及所述第二直流电压；
停止通入所述辅助气体；
取出所述衬底。
2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述辅助气体包 括氮气、氩气或氦气中的任一种或其组合。
3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：在停止通入所述 刻蚀气体的同时，或在停止通入所述刻蚀气体之后，施加第二直流电压 之前，还包括步骤：
减小射频电压功率值；
增大辅助气体流量。
4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于：在增大辅助气体 流量步骤中，所述辅助气体的流量增大至50至500sccm之间。
5.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于：在减小射频电压 功率值步骤中，所述射频电压的功率降至100至500W之间。
6.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于：减小射频电压功 率值之前，射频电压功率值在1500W至2500W之间。
7.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于：所述减小射频电 压功率值至少分为两次实现。
8.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于：增大辅助气体流 量之前，辅助气体流量在30至80sccm之间。
9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述衬底具有导 电结构，且在所述导电结构上还具有介质层，所述待刻蚀图形形成于所 述介质层上。
10.如权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于：所述待刻蚀图形 为通孔图形，所述刻蚀开口为通孔开口，且所述通孔开口与所述导电结 构相连通。
11.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于：所述介质层为 黑钻石材料层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810227178.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：床式空调
- 下一篇：一种空调进气孔过滤装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
