[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200810227180.1 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740462A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李敏;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次具有垫氧化硅层和硬掩膜层；在所述衬底中具有沟槽，在所述垫氧化硅层和硬掩膜层中与沟槽相应的位置具有开口；
执行湿氧氧化工艺，在所述沟槽的底部以及侧壁形成衬垫氧化硅层；
在所述沟槽中的衬垫氧化硅层和所述硬掩膜层上形成介质层；
去除所述硬掩膜层上的介质层及所述的硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述湿氧氧化工艺为原位水蒸气产生氧化。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：在执行氧化工艺之前，还包括硬掩膜层回刻工艺，以使所述硬掩膜层中的开口线宽增大。
4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述硬掩膜层回刻工艺之前，在所述沟槽侧壁和底部形成保护层的步骤；以及
在所述硬掩膜层回刻工艺之后，湿氧氧化工艺之前，去除所述保护层的步骤。
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述保护层为牺牲氧化硅层。
6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：形成牺牲氧化硅层的方法为干氧氧化工艺。
7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述干氧氧化工艺包括炉管氧化工艺。
8.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：去除所述牺牲氧化硅层的工艺为湿法刻蚀，刻蚀溶液为氢氟酸溶液。
9.如权利要求1至8任一权利要求所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮化硅，所述回刻工艺为湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
