[发明专利]硅栅极的刻蚀方法及提高硅栅极线宽腔室匹配的方法

权利要求书

1.一种硅栅极的刻蚀方法，用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅 栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极；包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤， 其特征在于，在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻 蚀抑制剂，所述刻蚀剂与硬掩膜图案层刻蚀抑制剂的流量比例为1∶9 至1∶4。

2.如权利要求1所述的硅栅极的刻蚀方法，其特征在于：所述硬 掩膜图案层为氮化硅、氮氧化硅中的一种，或氮化硅与氮氧化硅的叠层 结构，或者氮化硅、氮氧化硅任一种或组合与氧化硅的叠层结构；所述 硬掩膜图案层刻蚀抑制剂为含氮的气体；

3.如权利要求2所述的硅栅极的刻蚀方法，其特征在于：所述含 氮的气体包括N₂、NO、N₂O、NH₃中的一种或组合。

4.如权利要求1至3任一权利要求所述的硅栅极的刻蚀方法，其 特征在于：所述刻蚀剂为含氟的气体。

5.如权利要求4所述的硅栅极的刻蚀方法，其特征在于：所述含 氟的气体包括CF₄、C₂F₆中的一种或组合。

6.如权利要求1所述的硅栅极的刻蚀方法，其特征在于：在所述 初刻蚀步骤中的刻蚀剂为CF₄，硬掩膜图案层刻蚀抑制剂为N₂；其中， CF₄的流量为20sccm，N₂的流量为80sccm；或者，CF₄的流量为10sccm， N₂的流量为90sccm。

7.如权利要求1至3、6任一权利要求所述的硅栅极的刻蚀方法， 其特征在于：在所述初刻蚀步骤的刻蚀剂中还添加有刻蚀剂的稀释剂。

8.如权利要求7所述的硅栅极的刻蚀方法，其特征在于：所述稀 释剂为惰性气体。

9.一种提高硅栅极线宽腔室匹配的方法，包括在至少两个腔室中 置入包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层膜层的不同衬底；对每一衬底的 硅栅层执行初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤，形成硅栅极；其特征在于，

在至少一个腔室中的刻蚀工艺初刻蚀步骤的刻蚀剂中添加有硬掩 膜图案层刻蚀抑制剂；

通过调整刻蚀剂和硬掩膜图案层刻蚀抑制剂的流量比例以及初刻 蚀步骤的刻蚀时间，调整该腔室中的衬底上形成的硅栅极的线宽，使该 线宽与其它腔室中形成的硅栅极线宽相匹配。

10.如权利要求9所述的提高硅栅极线宽腔室匹配的方法，其特征 在于：所述硬掩膜图案层为氮化硅、氮氧化硅中的一种，或氮化硅与氮 氧化硅的叠层结构，或者氮化硅、氮氧化硅任一种或组合与氧化硅的叠 层结构；所述硬掩膜图案层刻蚀抑制剂为含氮的气体。

11.如权利要求10所述的提高硅栅极线宽腔室匹配的方法，其特 征在于：所述刻蚀剂与硬掩膜图案层刻蚀抑制剂的流量比例为1∶9至1∶ 4。

12.如权利要求10或11所述的提高硅栅极线宽腔室匹配的方法， 其特征在于：所述含氮的气体包括N₂、NO、N₂O、NH₃中的一种或组 合。