[发明专利]一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括：绝缘衬底、源电极、绝缘层、漏电极、栅电极、栅介质层和有机半导体层，其特征在于：所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上，且相互接触，其中有机半导体层处于中心位置；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，且相互接触，并与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。

2.如权利要求1所述的一种纳米级沟道有机场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘衬底包括长有氧化硅或氮化硅绝缘薄膜的硅片、绝缘玻璃和绝缘塑料薄膜。

3.如权利要求1所述的一种纳米级沟道有机场效应晶体管，其特征在于：所述源电极、漏电极的材料为高功函数金属材料或导电有机物。

4.如权利要求1所述的一种纳米级沟道有机场效应晶体管，其特征在于：所述绝缘层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料，其厚度小于1微米。

5.一种如权利要求1所述的纳米级沟道有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于：该方法的制备步骤如下：

(1)在绝缘衬底上制备图形化的平面栅电极；

(2)沉积栅介质层，并去除侧墙以外的介质材料。

(3)制备平面源电极；

(4)在源电极层上沉积绝缘层，使其图形化以去除多余的绝缘材料；

(5)在步骤(4)所述的绝缘层上制备平面漏电极；

(6)沉积有机半导体层，使其图形化以去除多余的有机半导体材料，完成器件的制作。