[发明专利]或门逻辑电路及其形成方法

权利要求书

1.一种或门逻辑电路，其特征在于，包括：

第一输入端，用于接收第一输入电压信号；

第二输入端，用于接收第二输入电压信号；

第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第一输入端；

第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第二输入端；

第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极与第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接至电压源；

第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的源电极与第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的源电极耦接于一点，该点通过一电阻耦接至接地点，同时以该点作为输出端，用于输出电压信号；

第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，分别包括：

栅氧介质SiO₂，利用PECVD生长于P+-Si衬底的正面；

背栅电极，通过蒸发金属形成于P+-Si衬底的背面；

规则的周期性排列的十字型定位标记，通过依次光刻定位标记图形、蒸发金属、剥离金属，形成于P+-Si衬底的正面；

氧化锌纳米线，放置于P+-Si衬底的正面；

源漏电极，通过依次光刻源漏电极图形、蒸发金属、剥离金属形成于所述P+-Si衬底的正面；

所述电压源为直流电源，且为大于所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的阈值电压的正电压，以及为大于所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的阈值电压的正电压；

在上述工艺基础上，再进行退火处理，在600℃环境下，退火处理2min，使得原本小于零伏的阈值电压，正向漂移，形成大于零伏的阈值电压。

2.一种或门逻辑电路形成方法，该或门逻辑电路包括第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管；其特征在于，该形成方法包括：

所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的栅电极作为该或门逻辑电路的第一输入端，用于接收第一输入电压信号；

所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的栅电极作为该或门逻辑电路的第二输入端，用于接收第二输入电压信号；

所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极与所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接至电压源；

所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的源电极与所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的源电极耦接于一点，该点通过一电阻耦接至接地点，同时以该点作为输出端，用于输出电压信号；

还包括：

制作第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管以及第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的步骤；

该步骤分别包括：

利用PECVD在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO₂；

在P+-Si衬底的背面蒸发金属，形成背栅电极；

依次在P+-Si衬底的正面进行光刻定位标记图形、蒸发金属、剥离金属，形成规则的周期性排列的十字型定位标记；

将氧化锌纳米线材料浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使纳米线从生长衬底表面脱落，悬浮于异丙酮溶液；并将含有氧化锌纳米线的异丙酮溶液滴于P+-Si衬底的正面，完成氧化锌纳米线的转移和淀积；

观察氧化锌纳米线，利用十字型定位标记，为后续光刻工艺提供氧化锌纳米线的准确位置；

依次光刻源漏电极图形、蒸发金属、剥离金属，在P+-Si衬底的正面形成源漏电极；

所述电压源为直流电源，且为大于所述第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的阈值电压的正电压，以及为大于所述第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的阈值电压的正电压；

在上述工艺基础上，再进行退火处理，在600℃环境下，退火处理2min，使得原本小于零伏的阈值电压，正向漂移，形成大于零伏的阈值电压。