[发明专利]辐射诱发基因组不稳定性的检测方法无效

专利信息
申请号: 200810227994.5 申请日: 2008-12-04
公开(公告)号: CN101748203A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 左雅慧;王仲文;王小莉;王放 申请(专利权)人: 中国辐射防护研究院
主分类号: C12Q1/68 分类号: C12Q1/68;C12Q1/02
代理公司: 北京天悦专利代理事务所 11311 代理人: 田明;任晓航
地址: 030006 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 辐射 诱发 基因组 不稳定性 检测 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及基因组的检测方法技术领域,特别是涉及辐射诱发基因组不稳定性的检测方法。

背景技术

基因组不稳定性是指基因组处于一种损伤易感态,它可以放大与累积其它损伤的发生,最终的遗传改变体现在细胞照射后许多代仍然持续存在的基因组损伤,而受照细胞本身并不是以某种特定的畸变形式出现。因此利用一些常规实验手段(如克隆存活率、单细胞凝胶电泳SCGE以及微核发生率等)很难直接来验证基因组不稳定性,因为只有当损伤累计到足够多的情况下才能利用一些常规实验手段检测到基因组不稳定性的发生。

基因组不稳定性是目前研究的热门课题,特别是人们认识到基因组不稳定性可能是多级致癌理论中至关重要的一步,因此对基因组不稳定性的检测成为重要的研究方法,但现有技术存在上述的缺点,因此特别需要借助其他方法来放大基因组不稳定性的效应,以便于我们在常规实验条件下对其进行检测。

发明内容

本发明的目的在于提供一种辐射诱发基因组不稳定性的检测方法,通过该检测方法能够在常规的实验条件下检测到基因组不稳定性,并且周期短,操作简便,可以更方便快捷地进行基因组不稳定性的检测。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

辐射诱发基因组不稳定性的检测方法,包括以下步骤:

(1)取对数生长期的CHL细胞消化后,在冰浴条件下进行60Coγ射线照射,照射时分别采用不同的照射剂量,然后对照射后各个剂量点的CHL细胞立即进行克隆形成率、单细胞凝胶电泳、微核形成率的测定;

(2)对受照后存活的各剂量点的细胞传25代后,进行单细胞凝胶电泳、微核发生率和染色体畸变率的检测;

(3)对受照后存活的各剂量点的第26代或者以后的传代细胞,在与步骤(1)中相同的条件下再次用60Coγ射线照射,照射剂量均为≥2Gy,照射后立即进行克隆形成率、单细胞凝胶电泳、微核形成率的测定。

进一步,为使本发明获得更好的发明效果,步骤(1)中,照射时采用3-6个剂量点进行照射,每个剂量点的照射剂量分别为≤10Gy;

进一步,为使本发明获得更好的发明效果,步骤(3)中,对受照后存活的各剂量点的第26代或者以后的传代细胞进行照射时,照射剂量为2Gy;

进一步,为使本发明获得更好的发明效果,步骤(3)中,对受照后存活的各剂量点的第33代或者以后的传代细胞进行照射。

本发明的效果在于,采用本发明所述的方法,具有如下优点:利用二次照射手段模拟体内可能出现的二次事件,并且扩大了细胞的损伤终点效应,从而可以对多次传代后较难以测定的延迟损伤与延迟突变进行检测,这样不仅克服了传统的直接检测所需观察时间长的缺点,而且也克服了由于发生率太低难以在常规实验条件观察到基因组不稳定性的缺点,实现了在常规实验条件下对辐射诱发基因组不稳定性的检测。

附图说明

图1是60Co-γ射线照射后CHL细胞的克隆存活率示意图;

图2是60Co-γ射线照射后CHL细胞的SCGE检测结果示意图;

图3是60Co-γ射线照射后CHL细胞的微核发生率示意图;

图4是一次照射的CHL细胞经传25代后的SCGE检测结果示意图;

图5是一次照射的CHL细胞传25代后的微核发生率示意图;

图6是培养33代的细胞子代经2Gy二次照射后的SCGE检测结果示意图;

图7是培养33代的细胞子代经2Gy二次照射后的微核发生率示意图。

具体实施方式

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