[发明专利]一种AlSiY扩散涂层的制备工艺无效

专利信息
申请号: 200810229663.5 申请日: 2008-12-12
公开(公告)号: CN101748375A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 孙超;姜肃猛;刘山川;李海庆;王启民;宫骏;华伟刚;肖金泉 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;C23C14/58;C23C14/54
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 alsiy 扩散 涂层 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种AlSiY扩散涂层的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:

(1)在高温合金基体材料上,通过电弧离子镀沉积AlSiY涂层;

(2)采用真空扩散退火的方法,在高温合金基体材料上形成AlSiY扩散涂层。

2.按照权利要求1所述的AlSiY扩散涂层的制备工艺,其特征在于,采用电弧离子镀技术沉积AlSiY涂层时,首先将真空室真空预抽至2×10-3~1×10-2Pa,通入Ar气,使真空室压强升至5×10-2~3×10-1Pa;然后对样品进行预溅射轰击清洗,靶基距为230~250mm,脉冲偏压为-800~-1000V,占空比20~40%,时间2~5min;再沉积AlSiY涂层,靶基距为230~250mm,弧电压20~25V,弧电流50~70A,脉冲偏压为-150~-300V,占空比20~40%,沉积温度300~400℃,沉积时间为150~500min,涂层厚度为15~50μm。

3.按照权利要求1所述的AlSiY扩散涂层的制备工艺,其特征在于:真空扩散退火时,温度为950~1050℃,保温时间3~5h,随炉冷却至室温。

4.按照权利要求1所述的AlSiY扩散涂层的制备工艺,其特征在于:按质量百分比计,电弧离子镀沉积的AlSiY涂层中,Si:0.1~14%,Y:0.1~2%,Al:余量。

5.按照权利要求1所述的AlSiY扩散涂层的制备工艺,其特征在于,沉积前需对试样进行预处理,将基材试样打磨至Ra=0.4μm,采用60~220目空心玻璃丸湿喷砂处理,随即先后采用金属洗涤剂、去离子水、丙酮超声各清洗5分钟,用酒精漂洗后烘干。

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