[发明专利]基于二代倒像式像增强器在常温下局部选通的微光探测器

权利要求书

1.一种基于二代倒像式像增强器在常温下局部选通的微光探测器，其特征在于，包括探测器壳体(8)，探测器壳体(8)分为上下两腔体，上腔体内依次设置有测光CCD(3)、视频采集模块(4)、现场可编程门阵列(5)、液晶驱动模块(6)、电源(7)和显示屏(10)，上腔体外部与测光CCD(3)相接的一端设置有镜头A(1)，上腔体的另一端设置有按钮(11)，下腔体内依次设置有液晶板(17)、磁镜阵列像增强器(16)、光纤光锥(15)和成像CCD(13)，下腔体外部与液晶板(17)相连接的一端设置有镜头B(2)，镜头A(1)与镜头B(2)并排设置，所述的磁镜阵列像增强器(16)包括平行设置的多碱光阴极(18)和微通道板(20)，由多碱光阴极(18)至微通道板(20)之间依次设置有前置静电聚焦电子光学系统(23)、磁镜阵列装置(19)和后置静电聚焦电子光学系统(22)，微通道板(20)的外侧设置有荧光屏(21)。

2.按照权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述的磁镜阵列装置(19)为二维栅状面阵，包括环形的支架(26)，支架(26)的环内设置有栅状永磁体(25)，栅状永磁体(25)横向并排设置有多个通孔，所述通孔穿过栅状永磁体(25)的每道栅，每道栅上相对应的通孔位于同一条轴线，构成栅状且整齐排列的多个微磁镜阵列(24)，所述的栅状永磁体(25)沿支架(26)轴线方向的两侧分别设置有电极(27)，电极(27)与栅状永磁体(25)之间设置有垫圈(28)。

3.按照权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述的液晶板(17)安装于磁镜阵列像增强器(16)前的光学系统中，通过光纤面板耦合于多碱光阴极(18)前，并位于该光学系统的成像面。