[发明专利]一种单通道闪存的高速写入方法无效

专利信息
申请号: 200810232222.0 申请日: 2008-11-11
公开(公告)号: CN101739365A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 崔建杰 申请(专利权)人: 西安奇维测控科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 康凯
地址: 710077 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 通道 闪存 高速 写入 方法
【权利要求书】:

1.一种单通道闪存的高速写入方法,其特征在于:

1]、占用相应通道内的第一个闪存芯片的实际写入时间,通过控制总线和数据总线向第一个闪存芯片写入数据;

2]、利用第一个闪存芯片的写入等待时间,通过控制总线和数据总线向下一个闪存芯片继续写入数据;

3]、依照步骤2]的方式,利用当前闪存芯片的写入等待时间,依次向通道内剩余的闪存芯片写入数据,直至通道内的所有闪存芯片完成一次数据写入工作,而且当第一个闪存芯片的写入等待时间结束,通道内的写入操作一周完毕;

4]、返回步骤1],重新向第一个闪存芯片写入数据,开始新的写入操作,直至所有数据的写入工作完成,循环写入操作完毕。

2.根据权利要求1所述的一种单通道闪存的高速写入方法,其特征在于:

所述步骤2]中第一个闪存芯片的写入等待时间正好等于向通道内其余闪存芯片写入数据的时间。

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