[发明专利]一种熔渗烧结制备Ti3SiC2材料的方法

权利要求书

1.一种熔渗烧结制备Ti₃SiC₂材料的方法，以Ti粉、Si粉和TiC粉或C 粉中的一种或两种为原料，均匀混合并制成预制体后，通过熔渗、烧结，制 备纯度高、气孔少、致密度高的Ti₃SiC₂材料，其特征在于，该方法按以下 步骤进行：

步骤1：混粉

按摩尔百分比，分别取粒径为50μm～75μm的Ti粉45％～65％、粒径 为65μm～85μm的Si粉5％～25％和粒径为45μm～100μm的TiC粉15％～ 35％，各组份总量100％，均匀混合，得到混合粉料，

或，按摩尔百分比，分别取粒径为50μm～75μm的Ti粉45％～65％、 粒径为65μm～85μm的Si粉5％～25％和粒径为60μm～80μm的C粉15％～ 35％，各组份总量100％，均匀混合，得到混合粉料，

或，按摩尔百分比，分别取粒径为50μm～75μm的Ti粉45％～65％、 粒径为65μm～85μm的Si粉5％～25％、粒径为45μm～100μm的TiC粉 15％～35％和粒径为60μm～80μm的C粉5％～15％，各组份总量100％，均 匀混合，得到混合粉料；

步骤2：制备稀释的粘结剂

按体积百分比，分别取粘结剂30％～40％和乙醇60％～70％，各组份总 量100％，混合均匀，制得稀释后的粘结剂；

步骤3：制备预制体

按质量百分比，分别取步骤1制得的混合粉料80％～90％和步骤2制得 的稀释后的粘结剂10％～20％，各组份总量100％，充分混合后，制成坯料， 烘干，制得预制体；

步骤4：熔渗烧结

在上步制得的预制体表面覆盖Si粉，然后，放入氢气气氛保护烧结炉内 烧结，控制该保护烧结炉内的升温速度为10℃/min，缓慢升温至1000℃～ 1100℃，保温30～40分钟，继续以10℃/min的升温速度升温至温度为 1300℃～1400℃，保温30～40分钟，之后，以5℃/min的升温速度继续缓 慢升温到保护烧结炉内温度为1450℃～1650℃，保温60～70分钟，即制得 Ti₃SiC₂材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的粘结剂选用酚醛树 脂、环氧树脂或聚氨酯中的一种。