[发明专利]绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其特征在于，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，并以源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为起始点，该距离为0.05～3μm，这些浮空场板与源场板共同形成加长的复合源场板结构。

2.一种制作绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管的方法，包括如下过程：

选择蓝宝石或碳化硅或硅或其它外延衬底材料作为衬底(1)，在衬底(1)上外延III-V族化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；

在过渡层(2)上淀积III-V族化合物半导体材料的势垒层(3)；

在势垒层(3)上制作掩膜，并在势垒层(3)上的两端淀积金属，再在N₂气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；

分别在源极(4)和漏极(5)的上部及势垒层(3)上的其它区域淀积绝缘介质层(6)；在绝缘介质层(6)上制作掩膜，并在源极和漏极之间的绝缘介质层上淀积金属，制作绝缘栅极(7)；

分别在绝缘栅极(7)的上部及绝缘介质层(6)上的其它区域淀积钝化层(8)；

在钝化层(8)上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.15～9μm的源场板(9)及n个浮空场板(10)，n≥1，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，并以源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为起始点，该距离为0.05～3μm，将源场板与源极电气连接；

淀积保护层(11)，即用绝缘介质材料分别覆盖源场板(9)及各浮空场板(10)的外围区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于源场板(9)及n个浮空场板(10)可采用三层金属组合Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au或Ti/Pt/Au，厚度均为0.03～0.2μm/0.05～0.8μm/0.07～8.0μm。