[发明专利]基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管

权利要求书

1.一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其特征在于，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1；源场板(8)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板(10)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm；各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间，各浮空场板的厚度均为0.2～10μm，各浮空场板的长度均为0.25～6μm，源场板的有效长度为0.2～5μm，漏场板的有效长度为0.35～7μm，构成相同厚度的源场板、漏场板和浮空场板的复合场板结构，以实现在工作时增大势垒层中耗尽区的面积。

2.一种制作基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的方法，包括如下过程：

在衬底(1)上外延宽禁带化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；

在过渡层(2)上淀积宽禁带化合物半导体材料的势垒层(3)；

在势垒层(3)上第一次制作掩膜，并在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；

在势垒层(3)上第二次制作掩膜，在源极(4)和漏极(5)之间的势垒层上淀积金属，制作栅极(6)；

淀积钝化层(7)，即用绝缘介质材料分别覆盖源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，以及势垒层(3)上的其它区域；

在钝化层(7)上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.2～10μm的源场板(8)、各浮空场板(9)及漏场板(10)，源场板(8)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板(10)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm，各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间，各浮空场板的长度均为0.25～6μm，源场板的有效长度为0.2～5μm，漏场板的有效长度为0.35～7μm，并分别将源场板(8)与源极(4)电气连接，漏场板(10)与漏极(5)电气连接；

分别在源场板(8)上部、各浮空场板(9)上部和漏场板(10)上部，以及钝化层(7)上的其它区域淀积保护层(11)。