[发明专利]一种场致发射平板显示器及制备方法无效

专利信息
申请号: 200810232726.2 申请日: 2008-12-09
公开(公告)号: CN101436505A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 丁兴隆;俞敏 申请(专利权)人: 彩虹集团公司
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J29/86;H01J9/20;H01J9/26
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 朱海临
地址: 71202*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 平板 显示器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,包括下述工序:

第一步,在下基板内侧印制行电极图形,在550℃~600℃烧结形成3至5微米厚的行电极;在烧结有行电极的下基板表面磁控溅射一层100纳米以上的保护层;然后在保护层上印制酸蚀性介质浆料,采用行电极同样的烧结工艺形成厚度为10~50微米的介质层;然后用光刻工艺在介质层上制作出条状介质层图形;在条状介质层图形表面印制列电极浆料,然后采用行电极同样的烧结工艺形成条状列电极;最后在列电极表面印制低功函数的电子发射材料;并在下基板上设置隔离支架;

第二步,在内侧带有透明高压阳极的上基板表面,印刷整面黑底浆料,采用光刻工艺形成间隔状黑底图形并进行烧结;在黑底图形间隔中印制三基色带状荧光粉层图形并烧结;

第三步,将上基板荧光粉层的带状图形与下基板列电极条状图形一一对应,上、下基板之间设置300微米到2毫米的间隙,四周用封接框将上基板和下基板组合,450℃烧结封接到一起,最后将封接形成的密闭腔体抽真空使腔体内的气压达到10-3Pa以上的真空度。

2.如权利要求1所述场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,所述行电极采用印刷整面的感光电极浆料后再通过光刻工艺制作出图形。

3.如权利要求1所述场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,所述行电极的烧结是先升温到350℃~370℃,保温10分钟,然后升温到550℃~600℃,保温20分钟。

4.如权利要求1所述场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,所述保护层为二氧化硅。

5.如权利要求1所述场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,所述酸蚀性介质浆料为以氧化锌为主成分的低熔点玻璃粉浆料。

6.如权利要求1所述场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,所述低功函数的电子发射材料为碳纳米管阴极发射材料。

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