[发明专利]低压大变容比二极管的制造方法无效
| 申请号： | 200810232884.8 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101383283A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 胡明雨;欧红旗;税国华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 大变容 二极管 制造 方法 | ||
1.一种低压大变容比二极管的制造方法，其包括以下步骤：
(1)在电阻率为0.001Ω·cm、重掺杂砷的N++<100>硅衬底片上，生长一N型外延层，所述N型外延层厚度为2.5μm，电阻率为2.5Ω·cm，掺杂杂质为磷，形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1区域；
(2)对所述已生长了所述N型外延层的硅衬底片进行常规氧化，生长一氧化层，所述氧化层的厚度为1.2μm，常规光刻，刻蚀出有源区窗口，所述有源区窗口中露出所述硅衬底片上的所述N型外延层的表面；
(3)在所述已刻蚀出有源区窗口的硅衬底片上进行常规氧化，在所述有源区窗口中生长第一薄氧化层，所述第一薄氧化层的厚度为180nm，进行砷杂质注入，剂量为1×1014em-2，能量为120KeV，在1150℃下退火60分钟后，形成所述低压大变容比二极管的N-2区域，漂光所述有源区窗口上的所述第一薄氧化层；
(4)在所述已形成N-2区域的硅衬底片上，用常规方法在所述有源区窗口中生长第二薄氧化层，所述第二薄氧化层的厚度为180nm，进行硼杂质注入，剂量为1×1016cm-2，能量为60KeV，在900℃下退火98分钟后，形成所述低压大变容比二极管的P+区域，漂光所述有源区窗口上的所述第二薄氧化层；
(5)对已形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1/N-2/P+区的硅衬底片，进行常规的金属布线、光刻、钝化、合金，再对所述硅衬底片的背面进行常规的减薄、背面金属化，最终形成所述的低压大变容比二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
