[发明专利]细胞电融合芯片及制造方法

权利要求书

1.一种细胞电融合芯片，其特征在于：所述细胞电融合芯片由硅片(1)和玻璃片(2)键合而成，所述硅片(1)上设置有微电极组(3)，所述微电极组(3)上设置有多个微电极(5)，所述微电极组(3)设置有信号引出线；

所述微电极(5)呈锯齿状排列于微电极组(3)的一侧或两侧，设置在相邻微电极组(3)上的微电极(5)交错相对，微电极组(3)之间形成连续的微通道(4)。

2.根据权利要求1所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述微电极(5)呈尖角锯齿状或矩形锯齿状排列在微电极组(3)上。

3.根据权利要求1或2所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述硅片(1)上设置有多个微电极组(5)和多条微通道(4)。

4.根据权利要求3所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述硅片(1)厚度为40～60μm，玻璃片(2)厚度为500～1000μm。

5.根据权利要求1所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述微电极组(5)的信号引出线采用金丝。

6.根据权利要求1或5所述的细胞电融合芯片系统，其特征在于：所述微电极组(5)连接的信号引出线各自连接独立的控制信号。

7.根据权利要求4所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述微电极组(5)由表及里依次由金电镀层(6)、金溅射层(7)、硅片(1)层组成。

8.根据权利要求7所述的细胞电融合芯片，其特征在于：所述金溅射层(7)的厚度为150～200nm，所述金电镀层(6)的厚度为500～1000nm。

9.权利要求8所述的细胞电融合芯片的制造方法，其步骤如下：

1)将硅片(1)和玻璃片(2)键合；

2)采用离子注入方式向硅片(1)掺入可提高半导体硅导电能力的三价元素或五价元素，掺杂浓度大于1×10¹⁹cm^-3，以形成P型或N型Si；

3)在硅片(1)表面溅射150～200nm金，形成金溅射层(7)；

4)电镀金溅射层(7)至500～1000nm，形成金电镀层(6)；

5)刻蚀由步骤3和步骤4所得的金溅射层(7)和金电镀层(6)至硅片(1)；

6)刻蚀硅片(1)，刻蚀深度为硅片(1)厚度，得到玻璃基底细胞电融合芯片。

10.权利要求9所述的细胞电融合芯片的加工方法，其步骤如下：所述三价元素为硼或铟，所述五价元素为砷或锑。