[发明专利]光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料

权利要求书

1.一种光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料，其特征在于含有以下成分：银粉、铜粉、添加元素，或银铜合金粉末和添加元素，其中粉末粒度小于45微米，铜元素占总重量的30-40％，余量为银和添加元素，薄膜中主要化合物为AgCuO₂，并含有少量Ag₂Cu₂O₃。

2、根据权利要求1所述的光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料，其特征在于所述的添加元素为Al，P，S，V，Mn，Co，Ni，Zn，Ga，Ge，As，Se，Nb，Mo，In，Sb中的一种或几种，添加元素可在制粉和熔炼过程中进行，根据光电材料要求不同，添加元素的质量分数为0.25-2.0％，粒度小于45微米。

3、一种光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于工艺流程如下：

A、原料经配料后在混料机中混合均匀，经过冷压成形后成为素坯；

B、素坯成形采用钢模双向在400MPa-800MPa压制，或在100MPa-300MPa冷等静压成形，或二者相结合；

C、靶材送入烧结炉中进行氧化烧结；

D、在电脉冲沉积或磁控溅射沉积或在气氛炉内喷雾氧化沉积，得到银铜复合氧化物薄膜，并进一步氧化处理。

4、根据权利要求3所述光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于所述的在电脉冲沉积或磁控溅射沉积是指：采用玻璃衬底，抽真空，真空度为10^-5-10^-2Pa，溅射或沉积速率为10^-2g/s，时间为30-200分钟。

5、根据权利要求3所述光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于所述的烧结温度600-750℃，时间3-8小时。

6、一种光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料，其特征在于应用于太阳能材料、太空电池帆板材料、高能量光子吸收、其它光电领域或半导体领域。