[发明专利]湿法清洗光掩模的方法有效
| 申请号： | 200810235705.6 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101414117A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 徐飞;金海涛 | 申请（专利权）人： | 常州瑞择微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;B08B11/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 清洗 光掩模 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种湿法清洗光掩模的方法，其特征在于：用温度在50—90℃的去离子水冲洗光掩模，同时用波长在0.5—100μm的光波对光掩模进行照射，光掩模表层的硫酸根离子和二氧化硅分子吸收光波能量，造成硫酸根离子和光掩模之间的氢键断裂，游离的硫酸根离子及污物随热去离子水移出光掩模的表层。
2.根据权利要求1所述的湿法清洗光掩模的方法，其特征在于：所述的光掩模以50—300rpm转速转动。
3.根据权利要求1所述的湿法清洗光掩模的方法，其特征在于：所述波长为1—50μm。
4.根据权利要求3所述的湿法清洗光掩模的方法，其特征在于：所述波长为2—20μm。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
