[发明专利]一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，其步骤包括：

(1)  清洗聚酰亚胺薄膜，作为柔性衬底；

(2)在真空条件下对衬底进行预烘，预烘温度为200～300℃，清除聚酰亚胺薄膜中包含的挥发性物质；

(3)在聚酰亚胺薄膜上制备Al背电极；

(4)在Al背电极上制备ZnO薄膜缓冲层，其中衬底温度为200～300℃，氩氧比：15∶0～35∶0，本底真空度10^-3～10^-4Pa，溅射功率：80～150W，溅射气压：1Pa，溅射时间：1小时～2小时；

(5)按照下述过程在ZnO薄膜缓冲层上制备NIP非晶硅薄膜：

(5.1)在ZnO薄膜缓冲层上制备N型微晶硅薄膜，其中通入的各气体流量为：PH₃：20～40sccm，SiH₄：10～15sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为1分钟～2分钟；

(5.2)在N型微晶硅薄膜上制备I型非晶硅薄膜，其中通入的各气体流量为：SiH₄：15～25sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为40分钟～1小时；

(5.3)在I型非晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜，其中通入的各气体流量为：B₂H₆：25sccm，CH₄：35sccm，SiH₄：40sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为30秒～1分钟；

(6)在P型非晶碳化硅薄膜上制备Al前电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，在真空镀膜机中安置碘钨灯进行预烘。