[发明专利]一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810236695.8 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN101431127A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 曾祥斌;赵伯芳;王慧娟;陈宇;宋志成;曾瑜 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 非晶硅 薄膜 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法,其步骤包括:

(1)  清洗聚酰亚胺薄膜,作为柔性衬底;

(2)在真空条件下对衬底进行预烘,预烘温度为200~300℃,清除聚酰亚胺薄膜中包含的挥发性物质;

(3)在聚酰亚胺薄膜上制备Al背电极;

(4)在Al背电极上制备ZnO薄膜缓冲层,其中衬底温度为200~300℃,氩氧比:15∶0~35∶0,本底真空度10-3~10-4Pa,溅射功率:80~150W,溅射气压:1Pa,溅射时间:1小时~2小时;

(5)按照下述过程在ZnO薄膜缓冲层上制备NIP非晶硅薄膜:

(5.1)在ZnO薄膜缓冲层上制备N型微晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:PH3:20~40sccm,SiH4:10~15sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为1分钟~2分钟;

(5.2)在N型微晶硅薄膜上制备I型非晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为40分钟~1小时;

(5.3)在I型非晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜,其中通入的各气体流量为:B2H6:25sccm,CH4:35sccm,SiH4:40sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为30秒~1分钟;

(6)在P型非晶碳化硅薄膜上制备Al前电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,在真空镀膜机中安置碘钨灯进行预烘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810236695.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top