[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1、一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅粉、无机溶胶与有机溶剂混合，搅拌均匀，形成混合物；(2)将第(1)步配制的硅粉、无机溶胶与有机溶剂的混合物利用丝网印刷或喷涂法在衬底上成膜，并在200℃～600℃温度下退火，退火时间为0.1h～3h。

2、根据权利要求1所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述无机溶胶为TiO₂溶胶、ZnO溶胶、SiO₂溶胶、Al₂O₃溶胶、Fe(OH)₃溶胶或SnO₂溶胶。

3、根据权利要求1或2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述无机溶胶浓度为0.001mol/L～10mol/L。

4、根据权利要求1或2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述有机溶剂是无水乙醇、甲醇、丙酮、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或石油醚。

5、根据权利要求1或2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述混合物为A克硅粉、B毫升无机溶胶和C毫升有机溶剂搅拌均匀形成的，其中A:B:C＝(10～1):(1～10):(0.1～10)。

6、根据权利要求1或2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述衬底是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底或陶瓷衬底。

7、根据权利要求3所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述有机溶剂是无水乙醇、甲醇、丙酮、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或石油醚。

8、根据权利要求6所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述混合物为A克硅粉、B毫升无机溶胶和C毫升有机溶剂搅拌均匀形成的，其中A:B:C＝(10～1):(1～10):(0.1～10)。