[发明专利]甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法

权利要求书

1.一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于包括以下方法步骤：

(1)嫩梢采剪处理

每年的6-10月选枝条旺盛的甜樱桃矮化砧苗，在枝条顶端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm长嫩梢，将嫩梢底端5-10cm处树叶摘除并浸沾生根液，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之间；

(2)离体嫩梢容器快速生根

将处理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基质和生根液的生根穴盘内，插入生根基质中的嫩梢长度为5cm，生根基质成份为细河沙、珍珠岩和蛭石，体积比为1∶1∶1，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的温度在25-35℃之间，相对湿度在80％-100％之间，遮阴透光率在40％-65％之间，生根培养时间40天；

(3)新苗移栽

将生根后的嫩梢即新苗连同生根基质从生根穴盘中移栽入营养钵，营养钵内盛有适宜新苗生长的基质，基质成份为草炭和腐熟后牛粪，体积比为3∶1，每隔20天追施一次三元素复合肥，适宜新苗生长的温度为20-35℃，相对湿度为60％-70％，当新苗粗度达到0.5cm时，嫁接上大樱桃品种芽，嫁接后15-25天后即可移栽入大田。

2.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：对步骤(1)中的剪梢工具进行局部接触式高温消毒，消毒温度300℃，每次接触消毒时间15秒。

3.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(1)中嫩梢采剪时间为早上6点-8点，摘叶处理在遮阴条件下进行。

4.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(2)中的生根穴盘选用厚度为1.1mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的圆柱型，由8行4列共32只生根穴盘并排紧密连接在一起，组成一个生根穴盘单元。

5.根据权利要求1所述的甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于：步骤(3)中的营养钵材质选用厚度为1.2mm的黑色PVC高强度薄板，形状为上粗下细的方柱型。