[发明专利]一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法无效
| 申请号： | 200810238873.0 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101752158A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩勇;刘燕文;丁耀根;刘濮鲲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;H01J23/00;C23C14/14;C23C14/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 纳米 材料 提高 组件 散热 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用纳米材料提高慢波组件散热性能的方法，其特征在于，包括步骤如下：
步骤1：将慢波组件样品放入直流磁控溅射台内；
步骤2：抽真空，并在100～400℃温度下对样品进行烘烤；
步骤3：当真空度达到8×10～4Pa以上时，充入惰性气体，使真空度降低，气压升高；
步骤4：当压强达到5～30Pa时，打开直流溅射电源，对金属靶进行溅射10～30分钟；
步骤5：由于真空室内气压较高，这时被溅射出的原子相互碰撞而形成较大的原子团，即纳米粒子颗粒；
步骤6：纳米粒子颗粒在样品表面沉积，形成纳米金属薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3中的惰性气体为氩气。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中的直流溅射电源，为电压300～500V，电流100～300mA。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4中的金属靶为铱、铁、铜、钼、镍或钨。
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