[发明专利]一种防止可编程非易失存储器中内容被误改写的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路设计中保护可编程非易失存储器中的内容(包括数据与程序) 不被误改写的方法，该方法将可编程非易失存储器的一部分存储空间变成了只读存储器。

背景技术

可编程非易失存储器由于其具备良好的灵活性，可以随时进行编程得到广泛的应用，许 多系统往往采用可编程非易失存储器作为CPU的程序与数据存储器。但在实际应用中由于电 源不稳定，外界干扰等不同的原因会造成程序跑飞，从而使得寄存器中的程序与数据被改写。 数据的改写会导致存储的内容发生错误，而程序区的改写问题尤为严重。因为程序区往往不 能像数据区那样采用镜像保护，备份等手段进行误改写数据还原，所以程序区的误改写常常 造成整个系统发生无法补救的错误，导致芯片工作失效。

通常对于程序区的保护常采用MMU等方法进行，但这些方法往往需要借助于在可编程非 易失存储器中写入某些数据或标志，这些数据和标志也存在被改写的问题。而常规采用的关 键数据的镜像保护也存在着存储器开销增大，操作判别费时的缺点。

发明内容

为了既兼顾可编程非易失存储器程序区的可编程特性，同时又对完成编程的存储器内容 进行防误改写保护，本发明提出一种对可编程非易失存储器内容进行保护的方法，该方法是 一种硬件实现方法，而且实现方便可靠。

该方法通过下载使能信号是否被划断来确定是否可对禁止可擦写区域进行写操作，如果 没有被划断则可对该区域进行下载；如划断，则根据信号In_Protect_Addr(1)指示CPU发出 的写指令需要操作的写地址是否在禁止擦写的区域(如完成下载的程序区)，如是则禁止该操 作，如不是则允许该操作。

附图说明

图1为实现该方法的电路。

具体实施方式

假设可编程非易失存储器(7)的写操作使能信号NVM_WE(4)是高电平进行写操作。

在完成可编程非易失存储器的内容下载前，下载使能信号DEN(15)与DEN’(14)没有被 划断，由于Download_en(2)接高电平，该电平经过缓冲器(8)，缓冲器(9)传递到或门(12) 的一个输入端，则该或门(12)的输出信号为高电平，NVM_WE(4)取决于CPU发出的 Write_enable(3)，此时的写操作不受地址范围的限制。

完成可编程非易失存储器内容下载后，将处于划片槽内的DEN(15)与DEN’(14)之间的 连线划断，DEN’(14)被电阻拉到低电平，或门(12)的输出取决于地址范围指示信号 In_Protect_Addr(1)。如果该信号为高表示CPU发出的写操作地址处于禁止擦写区域，则或 门(12)的输出为低电平，使得与门(13)的输出为低电平导致CPU发出的写操作使能信号 Write_enable(3)不能传递到NVM_WE(4)，即NVM_WE(4)为低电平，不能对可编程非易失存储 器(7)进行改写；如果In_Protect_Addr(1)信号为低则表示写操作的地址为正常地址的写 信号，允许对可编程非易失存储器进行写操作，或门(12)的输出为高电平，CPU发出的写 操作使能信号Write_enable(3)可以被传递到NVM_WE(4)，从而完成正常的写操作。

划片槽中的连线的划断是通过WAFER划片时用划片刀完成切断。

本发明提出的一种在集成电路设计时防止存储于可编程非易失存储器中的内容被误改写 的方法，利用对禁止改写地址的指示信号对可编程非易失存储器的写使能信号的控制，以及 将该指示信号的引线放入划片槽，在可编程非易失存储器完成内容下载后，进行划断处理， 达到在硬件上防止可编程非易失存储器中的内容被改写的目的，实现方便可靠。