[发明专利]成膜载板及太阳能电池的生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种成膜技术，尤其涉及一种成膜载板及太阳能电池的生产方法。

背景技术

在多晶硅太阳能制造设备中，PECVD(等离子增强化学气相淀积)设备用来实现多晶硅表 面减反射层氮化硅的沉积，等离子能量增加了反应粒子的活性，在400℃～500℃温度下使 工艺气体实现解离、反应、沉积等工艺。

如图1所示，现有技术中的PECVD设备的工艺腔室结构包括气体进入孔1、气体匀流板及 上电极2、等离子体发生源3、工艺腔室4、载板5、加热板及下电极6等。

工艺气体通过气体进入孔1、气体匀流板2进入工艺腔室4，保证工艺气体均匀分布在 载板5的上方，并形成等离子体，进行氮化硅薄膜沉积等成膜工艺。在PECVD成膜过程中， 影响膜质量的工艺参数主要有等离子体分布均匀性，温度均匀性以及气流均匀性等，对于 大尺寸设备来说，工艺参数的均匀性尤其重要。

如图2所示，现有技术中的载板5为实心平板状，载板5的上方设有多块基片7，工艺气 体在载板5的上方反应成所需薄膜沉积在基片7的上方。

上述现有技术至少存在以下缺点：

由于载板5为实心平板，工艺气体由气体匀流板2运动至载板5时，会流向载板5的四 周，使载板5四周的气体浓度大于载板5中心位置的气体浓度，无法在基片7的上方获得均匀 的工艺气体，影响了膜的均匀性。

发明内容

本发明的目的是提供一种能使工艺气体均匀的成膜载板及太阳能电池的生产方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的成膜载板，该成膜载板上开有多个通孔。

本发明的太阳能电池的生产方法，包括薄膜沉积工艺，将太阳能电池基片放在上述的 成膜载板上，进行所述薄膜沉积工艺。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的成膜载板及太阳能电池的生产 方法，由于成膜载板上开有多个通孔，使工艺气体可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通 过，提高气体在成膜载板上方的均匀性，从而提高成膜的均匀性。

附图说明

图1为现有技术中的PECVD设备的的结构示意图；

图2为现有技术中的载板的结构示意图；

图3为本发明的成膜载板的具体实施例一的结构示意图；

图4为本发明的成膜载板的具体实施例二的结构示意图；

图5为本发明的成膜载板的具体实施例三的结构示意图；

图6a为本发明中的通孔的结构示意图一；

图6b为本发明中的通孔的结构示意图二；

图6c为本发明中的通孔的结构示意图三。

具体实施方式

本发明的成膜载板，其较佳的具体实施方式是，该成膜载板上开有多个通孔，多个通 孔可以在成膜载板上纵向布置一排或多排，并横向布置一排或多排。纵、横布置的多排通 孔将成膜载板分割成多个区域，每个区域可以放置成膜的基片。在成膜工艺中，工艺气体 可以从成膜载板的四周及通孔中均匀通过，提高气体在成膜载板上方的均匀性，从而提高 成膜的均匀性。

具体实施例一，如图3所示，纵向布置的一排通孔9和横向布置的一排通孔9分别设于 成膜载板8的横向和纵向中心线处，将成膜载板8分割成4个区域，每个区域可以放置一块基 片7。

具体实施例二，如图4所示，上例中的每个区域可以放置4块基片7。根据需要每个区 域也可以放置2、3、6块等多块基片7。

具体实施例三，如图5所示，纵向布置的两排通孔9和横向布置的两排通孔9将成膜载 板8分割成9个区域，每个区域可以放置一块基片7。同样，根据需要，每个区域也可以放置 多块基片7.

多个通孔9的布置方式及基片7的布置方式不限于上述三个实施例中的布置方式，也可 以采用其它的布置方式。

如图6a、6b、6c所示，通孔9的形状根据需要可以为圆孔、方孔或喇叭形孔等，也可 以是其它形状的孔。

通孔9的横向最大尺寸可以小于或等于成膜载板的厚度的两倍。用于保证等离子体不 能通过通孔9。

本发明的太阳能电池的生产方法，其较佳的具体实施方式是，将太阳能电池基片放在 上述的成膜载板上，进行薄膜沉积工艺。

如在硅太阳能电池的制作工艺中，可以将成膜载板用于在多晶硅层上沉积氮化硅减反 射层，或其它的薄膜层等。