[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法

权利要求书

1.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器，其特征在于，所述半晶体 管包括：

由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；

由所述离子注入区与重掺杂区形成的二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，

所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接；

所述半晶体管还包括：

隔离沟槽，用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽的深度大于 所述离子注入区的深度；其中，

所述离子注入区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度但是小于所述重掺杂区的 掺杂浓度；

所述轻掺杂漏区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述离子注入区包括n型或p型离子注入区。

3.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述重掺杂区包括n型或p型重掺杂区。

4.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，

所述栅氧层与所述重掺杂区之间保持预定距离。

5.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器的制造方法，其特征在于， 包括以下步骤：

生成隔离沟槽；

在衬底上形成阱；

在所述阱内形成离子注入区；

在所述离子注入区上生成栅氧层；

在所述栅氧层上生成多晶硅层；

在所述离子注入区内形成轻掺杂漏区；

在所述栅氧层和所述多晶硅层的两侧形成侧墙；

在所述离子注入区内形成重掺杂区；其中，

所述多晶硅层、所述栅氧层、所述轻掺杂漏区、所述离子注入区形成可编 程电容；

所述离子注入区与所述重掺杂区形成二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；

所述隔离沟槽用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽的深度大 于所述离子注入区的深度；其中，

所述离子注入区的掺杂浓度大于所述阱的掺杂浓度但是小于所述重掺杂 区的掺杂浓度；

所述轻掺杂漏区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相反。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述离子注入区包括n型或p型离子注入区。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述重掺杂区包括n型或p型重掺杂区。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述栅氧层与所述重掺杂区之间保持预定距离。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述阱包括n型或p型阱。

10.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器的编程方法，其特征在于，

所述半晶体管包括：

由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；

由所述离子注入区与重掺杂区形成的二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，

所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接；其中，

所述轻掺杂漏区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相反；

所述半晶体管还包括：

隔离沟槽，用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽的深度大于 所述离子注入区的深度；其中，

所述离子注入区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度但是小于所述重掺杂区的 掺杂浓度；

所述编程方法包括：

在所述字线上施加第一电压，在所述位线上施加第二电压，将所述可编程 电容击穿形成导通电阻，并使所述二极管导通。

11.根据权利要求10所述的编程方法，其特征在于，

所述第一电压与所述第二电压的差值为能够将所述可编程电容击穿的电 压值。

12.一种半晶体管结构的一次性可编程存储器的读取方法，其特征在于，

所述半晶体管包括：

由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；

由所述离子注入区与重掺杂区形成的二极管；

所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，

所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接；其中，

所述轻掺杂漏区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相反；

所述半晶体管还包括：

隔离沟槽，用于将所述离子注入区隔离；其中，所述隔离沟槽的深度大于 所述离子注入区的深度；其中，

所述离子注入区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度但是小于所述重掺杂区的 掺杂浓度；

所述读取方法包括：

在所述字线上施加第三电压，在所述位线上施加第四电压，检测灵敏放大 器是否有电流，如果是，则表示所述可编程电容被击穿形成电阻，输出为逻辑 “1”；否则，表示所述可编程电容未被击穿，输出逻辑“0”。