[发明专利]掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法无效
| 申请号： | 200810240069.6 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101747033A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 焦玉磊;肖玲;郑明辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 baceo sub 提高 gdbacuo 高温 超导体 性能 方法 | ||
1.一种掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.将固相法合成的Gd123、Gd211粉体与固相法合成的BaCeO3粉体混合，并经高速振摆球磨混合均匀，其中，Gd123与Gd211的摩尔比为1∶0.3～0.5，BaCeO3粉体占总重量的0.25-1.0％；
b.用单轴模压成型；
c.再采用顶部籽晶技术结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块材；
d.将以上单畴GdBaCuO超导块材在350-400℃进行吸氧热处理50～120小时。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a中球磨的时间为2-4h，球料的重量比1∶1，料球的材质为锆球，料球的大小为φ6mm与φ3mm，数目比为1∶6。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b中单轴模压成型的压强为10-25MPa。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c中所述顶部籽晶技术结合熔融织构生长工艺的具体操作方法如下：
在单轴模压成型柱体的顶部中心放置NdBaCuO籽晶，使NdBaCuO籽晶的c轴与样品轴平行；接着把带有籽晶的样品置入高温加热炉中，升温至1060-1075℃，保温10-30分钟，再用8-10分钟降温到1060-1040℃，然后又以0.5-1.5℃/h的降温速率使温度下降到1030-1010℃，接着炉冷到室温。
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