[发明专利]一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；

步骤2、在该绝缘介质薄膜表面旋涂光刻胶，光刻得到叉形金属底电极线条的图形；

步骤3、通过电子束蒸发在叉形金属底电极线条图形上蒸镀一层金属薄膜；

步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的叉形金属线条；

步骤5、真空淀积生长有机半导体薄膜；

步骤6、通过镂空的掩模版在叉形金属线条两边沉积源漏金属电极，在沉积源漏金属电极时，电子束蒸发的能量较高的金属粒子渗透进疏松的有机半导体层自动完成上下电极的互连，完成混合接触型电极的有机场效应晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤1中所述导电基底是电阻率低的导电材料，用于作为有机场效应晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤1中所述在导电基底上生长绝缘介质薄膜是采用热氧化生长方法或化学气相沉积方法。

4.根据权利要求1所述的制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤5中所述真空淀积生长有机半导体薄膜采用真空热蒸镀的方法，用于获得具有取向一致性的有机半导体薄膜。

5.根据权利要求1所述的制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，步骤6中所述沉积源漏金属电极是采用电子束蒸发技术或磁控溅射的方法。