[发明专利]一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该 方法包括：

步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；

步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂光刻胶，光刻得到由该光刻胶形 成的过渡层的胶图形；

步骤3、对该过渡层的胶图形进行显影后真空蒸镀一层有机半导体材 料，作为底电极的修饰层；

步骤4、剥离该过渡层后，在整个基片上涂胶，再对该过渡层所在的 区域套刻得到底电极图形；

步骤5、再通过电子束蒸发在底电极图形表面蒸镀一层金属薄膜；

步骤6、用丙酮剥离掉光刻胶后得到带过渡层的底电极图形；

步骤7、真空蒸镀有机半导体材料作为沟道半导体层，完成器件的制 作。

2.根据权利要求1所述的底电极结构有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤1中所述在导电基底上生长绝缘介质薄膜采用热氧化生 长方法或化学气相沉积方法。

3.根据权利要求1所述的底电极结构有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，所述步骤4、步骤6中底电极图形化和步骤2、步骤4中过 渡层材料图形化是通过光刻实现的。

4.根据权利要求1所述的底电极结构有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤3中所述有机半导体材料的厚度为30nm，且比沟道半 导体层要薄。

5.根据权利要求1所述的底电极结构有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤7中所述有机半导体材料采用真空热蒸镀方法实现，厚 度为50nm，且比修饰层的厚度要厚。