[发明专利]一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，其特征在于， 该方法包括：

步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；

步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂光刻胶，光刻得到底电极胶图形；

步骤3、在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；

步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；

步骤5、旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源 漏电极；其中所述有机栅介质是通过旋涂实现的，且该有机栅介质是浓度 1.8％的PMMA，或者是浓度2％的PVP；

步骤6、干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。

2.根据权利要求1所述的制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的 方法，其特征在于，步骤1中所述导电基底是电阻率低的导电材料，用于 作为有机场效应晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的 方法，其特征在于，步骤1中所述在导电基底上生长绝缘介质薄膜是采用 热氧化生长的方法或化学气相沉积的方法实现的。

4.根据权利要求1所述的制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的 方法，其特征在于，步骤3中所述在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜 是通过电子束蒸发实现的。

5.根据权利要求1所述的制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的 方法，其特征在于，步骤6中所述蒸镀有机半导体层是采用真空热蒸镀的 方法实现的。