[发明专利]一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法

说明书

技术领域

本发明属于集成电路制造领域，尤其涉及一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法。

背景技术

多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，将这些晶粒结合起来就可以结晶成为多晶硅。目前，多晶硅多用于IC(Integrated Circuit，集成电路)制造中，是电子信息产业最重要的原料之一。

多晶硅主要有掺杂和非掺杂两种，其中，前者可作为IC元件的导电材料，例如CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)中栅氧的导电层，后者可用来制作IC元件里的电阻。

目前业界常用炉管以LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相淀积)的方法在硅晶圆表面沉积多晶硅以生产IC元件产品，在生产过程中，为了保持炉管腔体内部气体的均匀，在炉管两侧分别摆放和产品大小及材质一致的多晶硅控档片；另外，为了监控产品的参数，如厚度、电阻、磷含量等，还需要在产品旁边放置和产品大小及材质一致的多晶硅控档片。在生产结束后，多晶硅控档片表面沉积有多晶硅，可以将沉积的多晶硅去除以供下次生产时继续使用。因此，多晶硅控档片的重复利用是降低生产成本的一个重要方面。

目前，常用的多晶硅控档片的回收方法是在生产结束后，将控档片放入氢氟酸(HF)和硝酸(HNO₃)的混酸中清洗，以去除沉积在控档片表面的多晶硅。这种方法虽然简单，但是因为多晶硅控档片的材质与其表面沉积的多晶硅一样，因此如果在回收过程中没有控制好时间或者刻蚀率，混酸在去掉多晶硅后，会腐蚀控档片，对控档片造成损伤，使得控档片无法继续使用，从而使控档片的利用率很低。

发明内容

本发明提供了一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法，用以提高多晶硅控档片的利用率。

本发明实施例通过如下技术方案实现；

本发明实施例提供了一种多晶硅控档片的回收方法，预先在所述控档片表面生成氮化硅层；所述回收方法包括：

将使用后在所述氮化硅层之上沉积有多晶硅层的控档片放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在所述氮化硅层之上的多晶硅层。

本发明实施例还提供了一种多晶硅控档片，所述多晶硅控档片表面生成有氮化硅层。

通过上述技术方案，本发明实施例在多晶硅控档片使用前对其进行预处理，即在多晶硅控档片表面生成氮化硅层，当多晶硅控档片被使用后，该氮化硅层之上沉积有多晶硅层，在回收被使用后的多晶硅控档片时，将其放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在氮化硅层之上的多晶硅层。因为氮化硅在上述混合溶液中的刻蚀率比多晶硅在上述混合溶液中的刻蚀率小很多，因此，这层氮化硅在多晶硅控档片的回收过程中起到很好的保护作用，使多晶硅控档片不易被氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液腐蚀，从而提高了多晶硅控档片的利用率。

附图说明

图1为本发明实施例中在多晶硅控档片使用前对其进行预处理的示意图；

图2为本发明实施例中多晶硅控档片使用前后的处理流程图。

具体实施方式

为了提高多晶硅控档片的利用率，本发明实施例提出了一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法，下面结合说明书附图对本发明实施例的主要实现原理、具体实施过程及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。

考虑到Si₃N₄在HF和HNO₃的混酸中的刻蚀率相对于多晶硅在HF和HNO₃的混酸中的刻蚀率小很多，因此，本发明实施例在多晶硅控档片使用前，预先在其表面生成一层保护膜，即在多晶硅控档片表面生成一层氮化硅(Si₃N₄)，具体生成方法如下：