[发明专利]氮化镓基场效应管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810240270.4 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101442071A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;黄俊;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 氮化 场效应 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种氮化镓基场效应管,包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,其特征在于:

所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。

2、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,其中所述的钛金属层的厚度为10-20nm,钨金属层的厚度为35-60nm,金金属层的厚度为60-100nm。

3、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的电镀层的材质为金属金。

4、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的衬底为碳化硅或者蓝宝石。

5、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的正面管芯包括:

氮化镓层,设置在所述的衬底顶面;

铝镓氮层,设置在所述的氮化镓层上;以及

栅极、源极和漏极,设置在铝镓氮层上,所述的源极和漏极位于所述的栅极两侧。

6、根据权利要求1-5任一项所述的场效应管,其特征在于,所述的衬底的厚度为100-200nm。

7、根据权利要求1或3所述的场效应管,其特征在于其中所述的电镀层的厚度为2-4μm。

8、一种场效应管的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤1:对场效应管的衬底进行减薄和抛光;

步骤2:采用光刻法在所述的场效应管管芯对应的衬底背面形成背金图形;

步骤3:通过溅射法,在所述的衬底背面形成钛/钨/金复合金属层作为起镀层;

步骤4:通过电镀法,在上述的复合金属层上形成电镀层。

9、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,经过步骤1得到的衬底的粗糙度低于±20nm。

10、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,所述的步骤1包括:首先采用物理机械法对衬底进行减薄和抛光,然后以氢氧化钠溶液作为抛光液对衬底进行化学机械抛光。

11、根据权利要求10所述的场效应管的制备方法,其特征在于其中所述的氢氧化钠溶液的pH值为7.5-11。

12、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于步骤3所述的钛/钨/金复合金属层包括:厚度为10-20nm的钛金属层,厚度为35-60nm的钨金属层,厚度为60-100nm的金金属层。

13、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,在步骤3得到的复合金属层上先形成一电镀图形,然后再进行步骤4。

14、根据权利要求13所述的场效应管的制备方法,其特征在于,所述的电镀图形与所述的起镀层图形相同,由起镀层和电镀层共同形成背金结构。

15、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于所述的场效应管管芯包括:

氮化镓层,设置在所述的衬底顶面;

铝镓氮层,设置在所述的氮化镓层上;以及

栅极、源极和漏极,设置在铝镓氮层上,所述的源极和漏极位于所述的栅极两侧。

16、根据权利要求8-15任一项所述的场效应管的制备方法,其特征在于,在所述的步骤1之前对场效应管的正面涂光刻胶;在步骤4之后利用丙酮对无图形区域的起镀层和电镀层金属进行剥离。

17、根据权利要求16所述的场效应管的制备方法,其特征在于,还包括:采用金锡焊料进行粘片和封装步骤。

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