[发明专利]氮化镓基场效应管及其制备方法无效
申请号: | 200810240270.4 | 申请日: | 2008-12-18 |
公开(公告)号: | CN101442071A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;黄俊;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 场效应 及其 制备 方法 | ||
1、一种氮化镓基场效应管,包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,其特征在于:
所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。
2、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,其中所述的钛金属层的厚度为10-20nm,钨金属层的厚度为35-60nm,金金属层的厚度为60-100nm。
3、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的电镀层的材质为金属金。
4、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的衬底为碳化硅或者蓝宝石。
5、根据权利要求1所述的场效应管,其特征在于,所述的正面管芯包括:
氮化镓层,设置在所述的衬底顶面;
铝镓氮层,设置在所述的氮化镓层上;以及
栅极、源极和漏极,设置在铝镓氮层上,所述的源极和漏极位于所述的栅极两侧。
6、根据权利要求1-5任一项所述的场效应管,其特征在于,所述的衬底的厚度为100-200nm。
7、根据权利要求1或3所述的场效应管,其特征在于其中所述的电镀层的厚度为2-4μm。
8、一种场效应管的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:对场效应管的衬底进行减薄和抛光;
步骤2:采用光刻法在所述的场效应管管芯对应的衬底背面形成背金图形;
步骤3:通过溅射法,在所述的衬底背面形成钛/钨/金复合金属层作为起镀层;
步骤4:通过电镀法,在上述的复合金属层上形成电镀层。
9、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,经过步骤1得到的衬底的粗糙度低于±20nm。
10、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,所述的步骤1包括:首先采用物理机械法对衬底进行减薄和抛光,然后以氢氧化钠溶液作为抛光液对衬底进行化学机械抛光。
11、根据权利要求10所述的场效应管的制备方法,其特征在于其中所述的氢氧化钠溶液的pH值为7.5-11。
12、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于步骤3所述的钛/钨/金复合金属层包括:厚度为10-20nm的钛金属层,厚度为35-60nm的钨金属层,厚度为60-100nm的金金属层。
13、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于,在步骤3得到的复合金属层上先形成一电镀图形,然后再进行步骤4。
14、根据权利要求13所述的场效应管的制备方法,其特征在于,所述的电镀图形与所述的起镀层图形相同,由起镀层和电镀层共同形成背金结构。
15、根据权利要求8所述的场效应管的制备方法,其特征在于所述的场效应管管芯包括:
氮化镓层,设置在所述的衬底顶面;
铝镓氮层,设置在所述的氮化镓层上;以及
栅极、源极和漏极,设置在铝镓氮层上,所述的源极和漏极位于所述的栅极两侧。
16、根据权利要求8-15任一项所述的场效应管的制备方法,其特征在于,在所述的步骤1之前对场效应管的正面涂光刻胶;在步骤4之后利用丙酮对无图形区域的起镀层和电镀层金属进行剥离。
17、根据权利要求16所述的场效应管的制备方法,其特征在于,还包括:采用金锡焊料进行粘片和封装步骤。
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