[发明专利]一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法有效
| 申请号： | 200810240592.9 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101447369A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;舒琼 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01H49/00 | 分类号： | H01H49/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 mems 机械 继电器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法，其步骤包括：
1)对钛基底光刻图形化，刻蚀形成浅槽；
2)选择热膨胀系数为8.6-9.4ppm/℃的玻璃，在玻璃的表面制备金属连线；
3)将钛基底和玻璃基底进行阳极键合；
4)对钛基底进行背面减薄，光刻图形化，并进行深刻蚀，穿通钛基底，形成MEMS机 械继电器。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述玻璃为钠钙玻璃、FOTURAN 玻璃或B270玻璃。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)形成的浅槽的高度 为5μm-10μm。
4.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述钛基底和玻璃基底阳极键 合的参数为：温度350-450℃，电压350-750V，压力1000-2000N。
5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中所述深刻蚀具体 为，刻蚀气体为氯气，刻蚀参数为：线圈功率300-500W，平板功率50W-200W，气体流 量30-70sccm。
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