[发明专利]一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法有效
申请号: | 200810240592.9 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101447369A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 陈兢;舒琼 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01H49/00 | 分类号: | H01H49/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 mems 机械 继电器 制备 方法 | ||
1.一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法,其步骤包括:
1)对钛基底光刻图形化,刻蚀形成浅槽;
2)选择热膨胀系数为8.6-9.4ppm/℃的玻璃,在玻璃的表面制备金属连线;
3)将钛基底和玻璃基底进行阳极键合;
4)对钛基底进行背面减薄,光刻图形化,并进行深刻蚀,穿通钛基底,形成MEMS机 械继电器。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述玻璃为钠钙玻璃、FOTURAN 玻璃或B270玻璃。
3.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)形成的浅槽的高度 为5μm-10μm。
4.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述钛基底和玻璃基底阳极键 合的参数为:温度350-450℃,电压350-750V,压力1000-2000N。
5.如权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中所述深刻蚀具体 为,刻蚀气体为氯气,刻蚀参数为:线圈功率300-500W,平板功率50W-200W,气体流 量30-70sccm。
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