[发明专利]一种制备硅纳米结构的方法

权利要求书

1.一种制备硅纳米结构的方法，其特征在于，该方法包括：

制作进行电子束曝光所需的版图；

对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；

将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；

在基片上匀涂电子束曝光胶；

按要求剂量用电子束曝光图形；

显影和定影；

电子束二次曝光；

干法刻蚀二氧化硅；

干法刻蚀硅，形成硅纳米结构；

其中，所述制作进行电子束曝光所需的版图的步骤中，将曝光后需保 留的硅纳米结构区域的曝光剂量设定为12～20mC/cm²，将用于隔离硅纳 米结构的区域的曝光剂量设定为100μC/cm²；

所述在基片上匀涂电子束曝光胶的步骤中，电子束曝光胶是PMMA；

所述按要求剂量用电子束曝光图形的步骤中，要求剂量是所述制作进 行电子束曝光所需的版图的步骤中设定的曝光剂量，该按要求剂量用电子 束曝光图形的步骤具体包括：先将基片送入电子束曝光系统，接着调节电 子束曝光系统使电子束在基片表面聚焦并根据束电流设定曝光参数，最后 按照制作的版图及版图上所设定的曝光剂量进行电子束曝光；

所述电子束二次曝光的步骤中，二次曝光的区域包括需保留的硅纳米 结构部分，且曝光剂量为16～24mC/cm²。

2.根据权利要求1所述的制备硅纳米结构的方法，其特征在于，所 述对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干的步骤，具体包括：

对需要制作硅纳米结构的基片先用丙酮、乙醇、去离子水反复清洗， 再用过氧化氢溶液和浓硫酸以体积比为1∶1的混合溶液加热到150℃清洗 20分钟，放凉后用去离子水反复冲洗，接着烘干。

3.根据权利要求1所述的制备硅纳米结构的方法，其特征在于，所 述将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层的步骤中，热氧化生成的二氧化硅掩 蔽层厚度为30nm。

4.根据权利要求1所述的制备硅纳米结构的方法，其特征在于，所 述在基片上匀涂电子束曝光胶的步骤中，涂敷厚度为65nm，匀涂后在 180℃热板上烘10分钟。

5.根据权利要求1所述的制备硅纳米结构的方法，其特征在于，所 述显影和定影的步骤中，显影液为MIBK和IPA的混合溶液，MIBK和IPA 的体积比为1∶3，定影液为IPA，显影和定影的时间均为20s。

6.根据权利要求1所述的制备硅纳米结构的方法，其特征在于，所 述干法刻蚀二氧化硅的步骤中，刻蚀深度为30nm。