[发明专利]触摸式电子纸及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810240965.2 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN101762922A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 孙增辉;胡文杰;张卓;王刚;邵喜斌 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/167 分类号: G02F1/167;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 触摸式 电子 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电子纸及其制造方法,特别是一种触摸式电子纸及其制造方法。 

背景技术

电子纸(Electronic Paper,简称E-Paper)也称数字纸,是将普通纸张显示信息的特点与计算机显示屏的特点相结合的产物。由于现有的印刷制品主要采用纸张实现,随着纸张消费量的迅速增加,对环境造成了很大的破坏。电子纸能够复制纸张的显示特点且能够重复利用,因此不会对环境造成很大的破坏,而且电子纸能够显示动态画面,因而电子纸被认为有望在不久的将来可以取代现有纸质文件。其中,基于电泳(Electrophoretic)技术的电子纸通过电泳现象来实现显示,其工作原理是利用电场分别驱动微胶囊电子墨水中带正负电荷的颜色粒子上下运动,黑白颜色粒子分别通过对自然光的反射和吸收实现黑色和白色的显示。由于电泳显示技术利用反射光进行显示,因此能耗很低。目前,基于微胶囊电子墨水的电子纸显示技术由于能耗低、显示效果与纸张接近等优点,具有广阔的应用前景。 

内置式触摸屏(Touch Panel)近年来逐渐成为触摸屏发展的新趋势。内置式触摸屏通过将传感器制作在显示屏的内部,如直接制作在薄膜晶体管基板上,具有降低工艺复杂程度、降低显示失真和能够制作更轻更薄的器件等优点。由于电子纸显示的特点,在自然光经过微胶囊电子墨水时,自然光会被反射掉或被吸收掉,或二者都有,因此自然光不能到达薄膜晶体管基板,因此现有技术中还没有将光传感内置式触摸屏与电子纸有机结合起来的技术方案。 

发明内容

本发明的目的是提供一种触摸式电子纸及其制造方法,将内置式触摸屏与电子纸有机地结合起来,具有结构简单、制备工艺简洁、成本低等优点。 

为了实现上述目的,本发明提供了一种触摸式电子纸,包括对盒的薄膜晶体管基板和透明电极基板,所述透明电极基板包括形成在第一基板上的公共电极、微胶囊电子墨水和作为光传输通道的导光柱,所述公共电极形成在第一基板上,透明材料的导光柱形成在公共电极上,所述微胶囊电子墨水涂覆在导光柱以外的公共电极上;所述薄膜晶体管基板包括形成在第二基板上的用于与透明电极基板的公共电极形成驱动微胶囊电子墨水的电场的显示电极、用于驱动所述显示电极的第一薄膜晶体管、用于探测通过所述导光柱透射的光并产生电平信号的第二薄膜晶体管和用于读取所述电平信号并发送给后端处理系统的第三薄膜晶体管,所述导光柱与所述第二薄膜晶体管相对设置。 

所述导光柱的高度为薄膜晶体管基板与透明电极基板之间间距的35%~65%。优选地,所述导光柱的高度为薄膜晶体管基板与透明电极基板之间间距的50%。 

所述第一薄膜晶体管包括: 

第一栅电极,形成在第二基板上,并与第一栅线连接; 

栅绝缘层,形成在第一栅电极上,并覆盖整个第二基板; 

第一有源层,包括半导体层和掺杂半导体层,形成在栅绝缘层上,并位于第一栅电极上方; 

第一源电极,一端位于第一有源层上,另一端与数据线连接; 

第一漏电极,一端位于第一有源层上,另一端与显示电极连接; 

第一TFT沟道区域,形成在第一源电极与第一漏电极之间,第一源电极与第一漏电极之间的掺杂半导体层被完全刻蚀掉,露出半导体层; 

钝化层,形成在第一源电极和第一漏电极上,并覆盖整个第二基板,其上开设有使显示电极与第一漏电极连接的钝化层过孔。 

所述第二薄膜晶体管包括: 

第二栅电极,形成在第二基板上,并与第二栅线连接; 

栅绝缘层,形成在第二栅电极上,并覆盖整个第二基板; 

第二有源层,包括半导体层和掺杂半导体层,形成在栅绝缘层上,并位于第二栅电极上方; 

第二源电极,一端位于第二有源层上,另一端与电源线连接; 

第二漏电极,一端位于第二有源层上,另一端与第三薄膜晶体管的第三源电极连接; 

第二TFT沟道区域,形成在第二源电极与第二漏电极之间,第二源电极与第二漏电极之间的掺杂半导体层被完全刻蚀掉,露出半导体层; 

钝化层,形成在第二源电极和第二漏电极上,并覆盖整个第二基板。 

所述第三薄膜晶体管包括: 

第三栅电极,形成在第二基板上,并与第三栅线连接; 

栅绝缘层,形成在第三栅电极上,并覆盖整个第二基板; 

第三有源层,包括半导体层和掺杂半导体层,形成在栅绝缘层上,并位于第三栅电极上方; 

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