[发明专利]一种CMOS芯片处理方法及设备有效
| 申请号： | 200810241030.6 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764095A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 芯片 处理 方法 设备 | ||
1.一种不执行快速热退火操作的CMOS芯片处理方法，其特征在于，所 述方法包括以下步骤：
向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量 为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8×1012ions/cm2～2.2× 1012ions/cm2；
对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行侧墙蚀刻操作。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入二氟化硼的剂量为2.0× 1012ions/cm2。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入二氟化硼的方式为离子 注入。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述待处理的CMOS芯片 进行侧墙蚀刻操作之后，所述方法还包括：
对所述CMOS芯片进行退火操作，得到处理后的CMOS芯片，其中，退 火时间范围为30分钟～1小时，退火温度范围为800摄氏度～900摄氏度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，
退火时间为30分钟，退火温度为850摄氏度。
6.一种不执行快速热退火操作的CMOS芯片处理设备，其特征在于，所 述设备包括：
元素注入模块，用于向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入 所述二氟化硼的能量为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8× 1012ions/cm2～2.2×1012ions/cm2；
侧墙蚀刻模块，用于对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行 侧墙蚀刻操作。
7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，
所述元素注入模块，进一步用于向所述待处理的CMOS芯片注入剂量为 2.0×1012ions/cm2的二氟化硼。
8.如权利要求6所述的设备，其特征在于，
所述元素注入模块，进一步用于通过离子注入的方式向所述待处理的 CMOS芯片注入二氟化硼。
9.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：
退火模块，用于对进行侧墙蚀刻操作后的CMOS芯片进行退火操作，其 中，退火时间范围为30分钟～1小时，退火温度范围为800摄氏度～900摄氏 度。
10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，
所述退火模块，进一步用于以退火时间为30分钟，退火温度为850摄氏 度的条件对进行侧墙蚀刻操作后的CMOS芯片进行退火操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810241030.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示器件
- 下一篇：微波蒸汽烹饪容器系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
