[发明专利]一种衬底上基片的微细加工方法

权利要求书

1.一种衬底上基片的微细加工方法，其步骤包括：

1)在衬底上先淀积不会发生电镀的金属层，在该层上再淀积可图形化的另一金属层并图形化，然后使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；

2)对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；

3)对上述通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀穿通形成电镀孔，进一步去除中间黏附层在电镀孔区域的聚合物；

4)在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑；

5)释放上述通孔，通过该通孔对中间黏附层聚合物进行刻蚀，释放结构后再去除不发生电镀的金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃、硅、金属钛、铝或钼，所述基片采用硅、锗、III-V族化合物、金属钛、铝和钼中的一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物为光刻胶SU8、Polyimide、PMMA或AZ系列光刻胶。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀金属为金、铜、镍或锡。

5.一种衬底上基片的微细加工方法，其步骤包括：

1)在衬底上先淀积不会发生电镀的金属层，在该层上再淀积可图形化的另一金属层并图形化，然后使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底片与基片键合在一起，形成衬底上基片；

2)基片减薄，并深刻蚀穿通基片形成电镀孔，进一步去除中间黏附层在电镀孔区域的聚合物；

3)在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑；

4)对基片再次深刻蚀，形成通孔；

5)通过上述通孔对中间黏附层聚合物进行刻蚀，释放结构后再去除不发生电镀的金属层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃、硅、金属钛、铝或钼，所述基片采用硅、锗、III-V族化合物、金属钛、铝和钼中的一种。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚合物为光刻胶SU8、Polyimide、PMMA或AZ系列光刻胶。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电镀金属为金、铜、镍或锡。