[发明专利]一种有机酸型粗化液

说明书

技术领域

本发明涉及金属材料的化学法蚀刻用组合物，尤其是涉及一种有机酸型粗化液。

背景技术

粗化液是印刷线路板专用的导电金属表面微蚀用药剂，又称微蚀液.可以使导电金属表面氧化物得到彻底清除，并将导电金属表面适度粗化，以增加其表面的比表面积，继而增强其表面与其他镀层或聚合物的结合力，保证贴膜及电镀处理的质量。现有粗化液包括过氧化物型和有机酸型，有机酸型的粗化液如中国发明专利CN1629357A公开的一种含有非离子型基团的高分子化合物的铜或铜合金的表面粗化剂，其包含有铜的化合物、有机酸、无机酸和以该粗化剂重量计百分比为0.01～20.00％的非离子型高分子化合物，它们的粗化效果良好，使导电金属表面产生足以与阻焊剂等产生优异密合性的粗糙表面，达到适合结合的状态。但是，有机酸型粗化液容易受到诸如锡、铁等杂质离子的干扰，使用寿命比较短，更换比较频繁。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的不足，提出一种有机酸型粗化液。

本发明的技术问题采用以下技术方案予以解决：

一种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸，其组分包括杂质离子掩蔽剂和络合剂；

所述杂质离子掩蔽剂为羟基乙酸盐，含量为1.5％，所述络合剂为乙二胺，含量为2.8％，所述有机酸为甲酸，含量为17.5％，所述有机酸型粗化液还包括氯化铜，含量为4.0％，氯化钠，含量为10.0％，水，含量为64.2％或者，

所述杂质离子掩蔽剂为柠檬酸盐，含量为1.5％，所述络合剂为乙二胺，含量为3％，所述有机酸为乙酸，含量为20.0％，所述有机酸型粗化液还包括氯化铜，含量为4.0％，氯化钾，含量为16.0％，水，含量为55.5％或者，

所述杂质离子掩蔽剂为酒石酸盐，含量为0.1％，所述络合剂为氢氧化胺，含量为0.5％，所述有机酸为丙酸，含量为25.0％，所述有机酸型粗化液还包括氯化铜，含量为4.0％，氯化胺，含量为10.0％，水，含量为60.4％。

这种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸。

这种有机酸型粗化液的特点是：

其组分包括杂质离子掩蔽剂，含量百分比为0.1～3.0％。用于掩蔽诸如锡、铁等杂质离子，避免它们干扰粗化液，从而延长粗化液的使用寿命，不必在使用过程中频繁更换粗化液。

本发明的的技术问题采用以下进一步的技术方案予以解决：

所述杂质离子掩蔽剂是羟基羧酸盐类化合物。

所述羟基羧酸盐类化合物是羟基乙酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐。

所述有机酸是C1～C6脂肪族有机酸：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸中的至少一种，含量百分比为5.0～30.0％。用于提供腐蚀金属所需要的氢离子和形成缓冲溶液体系，使蚀刻溶液的pH值保持相对稳定。

其组分还包括络合剂，含量百分比为0.5～5.0％。用于与铜离子或亚铜离子络合形成络合物，参与腐蚀反应，并保持蚀刻溶液的稳定。

所述络合剂是无机胺类化合物。

优选的无机胺类化合物是氢氧化铵。

所述络合剂是有机胺类化合物。

优选的有机胺类化合物是乙二胺。

其组分还包括二水合氯化铜3.0～5.0％；在粗化液中无铜离子时，微蚀速度很慢，当铜含量达到15克/升，折合二水合氯化铜约4.0％时，微蚀速度趋于稳定。

其组分还包括氯化钠、氯化钾或氯化铵，含量百分比为1.0～20.0％。用于控制蚀刻速度，提高蚀刻效率。

本发明的的技术问题采用以下更进一步的技术方案予以解决：

这种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下：

有机酸5.0～30.0％；

杂质离子掩蔽剂0.1～3.0％；

络合剂0.5～5.0％；

二水合氯化铜3.0～5.0％；

氯化钠、氯化钾或氯化铵1.0～16.0％；

水：其余。

本发明与现有技术对比的有益效果是：

本发明的有机酸型粗化液采用杂质离子掩蔽剂，可以有效解决粗化液容易受到诸如锡、铁杂质离子的干扰问题。减少了在用于印刷线路板的铜表面处理过程中更换粗化液的次数，延长了粗化液的使用寿命。具有抗杂质离子污染能力强、工艺宽容度大，以及便于使用的优点，而且在相同的较低蚀铜量情况下，铜表面粗化程度比较高，可以明显增强其表面与其他镀层或聚合物的结合力，确保贴膜及电镀或化学镀处理的质量。

具体实施方式

下面将结合具体实施方式对本发明作进一步说明。

具体实施方式一

第一种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下：